全国人大代表、华中科技大学计算机学院院长、教授冯丹
新华网北京3月8日电（付琳）全国人大代表、华中科技大学计算机学院院长、教授冯丹近日接受新华网两会采访时表示，武汉国家存储器基地于2020年推出的128层QLC 3D NAND产品，实现了闪存存储器芯片国产化，抓住了产业发展机遇，解决我国存储器卡脖子问题的关键，如今正在部署下一代存储器技术。
存储芯片作为数据的载体，是信息社会的基石，以闪存为代表的现有存储芯片将继续在大容量、高性能、高可靠核心技术上取得突破，以应对互联网大数据时代数据爆炸式增长需要。冯丹表示，“十三五”期间，我国集成电路产业规模不断增长，技术创新取得了突破，“十四五”期间将会有更多创新技术涌现。下一代高速低能耗非易失存储器技术、存算一体化芯片技术将成为新的发展趋势。
高端芯片的设计和生产是一个系统性工程，其中涉及材料、机械、微纳工艺、微电子、计算机等多个学科，缺一不可。冯丹指出，目前存储芯片还处于补短板和追赶的阶段，缺乏先进技术，缺少领军人才，这是现阶段面临的最大挑战。行业所需的人才不仅需要科研业务强、有一线工作经验的高素质工程师，又需要具有前瞻视野的产业科学家，还需要了解芯片行业的投资人。“未来需要进一步加强学科群建设，建设集合技术、人才、产业等完整的生态圈来共同培育促进。”冯丹说。
创新驱动实质是人才驱动，人是科技创新最关键的因素，从科技创新人才后备力量的输送角度来看，培养未来科技创新人才，还要厚植科技创新沃土。冯丹表示，通过选拔品学兼优的中学生走进大学，在自然科学、基础学科等领域著名科学家的指导下，参加科学研究、学术研讨和科研实践，使中学生感受名师魅力，体验科研过程，可进一步激发学生的科研热情，提高创新能力。中国科协和教育部主办的“英才计划”等科技教育项目，就很好地促进了中学教育与大学教育相衔接，是建立高校与中学联合发现和培养青少年科技创新人才的有效模式，为青少年科技创新人才不断涌现和成长营造了良好的社会氛围。