揭秘3nm/2nm工艺的新一代晶体管结构
一些晶圆代工厂仍在基于下一代全能栅极晶体管开发新工艺,包括更先进的高迁移率版本,但是将这些技术投入生产将是困难且昂贵的。英特尔、三星、台积电和其他公司正在为从今天的FinFET晶体管向3nm和2nm节
一些晶圆代工厂仍在基于下一代全能栅极晶体管开发新工艺,包括更先进的高迁移率版本,但是将这些技术投入生产将是困难且昂贵的。英特尔、三星、台积电和其他公司正在为从今天的FinFET晶体管向3nm和2nm节
芯东西(公众号:aichip001)编译 | 子佩编辑 | Panken芯东西12月30日消息,英特尔在本周的IEEE国际电子设备会议上展示了一项新的研究,或为续命摩尔定律提供下一步可行方向。此项研究