我国芯片制造核心关键装备再获突破发布于: 科技2020-07-03标签: 芯片制造关键高能离子中年记者近日从中国电子科技集团采访获悉,由该集团旗下电科装备自主研制的高能离子注入机成功实现百万电子伏特高能离子加速,性能达国际主流先进水平。这意味着在芯片自主研制的道路上,中国又攻克了一样受制多年的核心