捷报频传，EUV设备与材料不断优化，大规模普及可期发布于: 科技2020-05-04标签: 优化紫外光刻技材料EUV光刻胶据韩媒报道，半导体设备商ASML和比利时半导体研究中心IMEC宣布单次曝光24nm节距线技术取得了突破性进展，该技术可以使半导体制造商在通过第一代极紫外光（EUV）光刻机也能实现3nm工艺单次曝光，极
