中金：SiC材料相關A股標的市場關注度有望迎來快速提升

智通財經APP獲悉，中金公司發佈研究報告稱，碳化硅(SiC)材料是第三代化合物半導體的典型代表，特別是在下游需求快速成長的新能源相關應用中，中金公司認為SiC相比Si基材料優勢明顯：1)在新能源車領域，SiC器件有望解決續航里程短、補能時間長等痛點；2)在光伏發電方面，SiC器件有望提升逆變器轉換效率及使用壽命。根據Wolfspeed預測，2026年SiC相關器件市場有望達到89億美元，襯底市場有望達到17億美元，合計市場超百億。中金公司認為SiC材料(襯底、外延)作為產業鏈中的核心環節，有望充分受益，相關A股標的市場關注度有望迎來快速提升。

中金公司主要觀點如下：

SiC襯底及外延生長技術壁壘高，海外企業技術領先：我們認為，SiC材料製備水平對器件最終性能起決定性作用，技術壁壘較高：SiC晶錠通常需要在高温高壓的氣相環境中生長；目前領先企業的單晶生長速度在每小時400微米左右，與Si存在數百倍的差距，目前PVT法依然是較主流的技術路線，市場規模較大的導電型產品主流尺寸為6英寸。外延方面，目前行業內平均生長速度為數微米/小時，隨着耐壓要求提高，外延層製造時間相應加長。目前美國Wolfspeed在SiC材料市場處於主導地位，2020年在襯底市佔率超60%。

海外及中國大陸廠商加速擴產，但國內有效產能仍稀缺：根據Wolfspeed測算，2026年全球SiC襯底市場有望達到17億美元，在400-500美元的襯底均價假設下，屆時需求有望達到400萬片/年上下。根據我們統計，海外廠商產能正處於加速擴張之中，2024-2025年海外企業規劃年產能有望達到約204萬片(6英寸等效)，是2020年的6倍之多，2022年起部分廠商還有望供應8英寸導電襯底。國內方面，我們看到目前襯底主流產品仍以4英寸為主，大規模量產6英寸企業較少，與海外存在差距；而產能方面大步推進，遠期規劃年產能超400萬片(對應超200億投資，目前產能僅20-30萬片/年)。我們認為並非所有產能都能形成有效轉化，未來隨着國內項目的陸續投產，部分良率偏低的項目可能會被以兼併重組的方式淘汰。我們認為行業應避免產能無序擴張。

碳化硅材料企業盈利能力及估值展望：我們認為SiC襯底供應商的整體良品率與每個單晶爐年產量是體現公司核心競爭力的關鍵，中長期來看本土SiC襯底龍頭企業的營業利潤率有望達到25%-30%。目前二級市場常用P/S法對SiC材料企業估值，而在未來中長期3-5年維度來看，我們認為P/E估值法是行業較為通用的估值方法，受益於新能源應用的持續增長，行業有望持續享受較高的估值水平。

本文選編自“中金點睛”，作者：成喬升，江磊等；智通財經編輯：韓永昌。