隨着國內可替代化要求的逐漸深入，以碳化硅、氮化鎵為首的第三代半導體作為新興材料，憑藉耐高温、抗高壓等優秀物理特性在市場中需求一路走高，但與此同時國內的第三代半導體發展困境也逐漸顯露出來。目前第三代半導體發展困境主要集中於國外技術封鎖、國內供應鏈不完整、項目投資盲目和投資泡沫嚴重四個大問題。國內企業想要突破第三代半導體發展瓶頸，就必須對症下藥，對痛點進行精準打擊，方能在行業中走向更廣闊的天地。
以南京百識半導體為案例，能否啓發國內企業找到新的突破點？
南京百識電子科技有限公司成立於2019年8月，是一家專注第三代寬禁帶半導體的芯片製造企業，以生產碳化硅及氮化鎵相關外延片為主要業務，包含GaN on Silicon、GaN on Sic以及SiC on SiC，涵蓋射頻微波等應用。
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其創始人宣融畢業於台灣交通大學，並從學生時代開始接觸第三代半導體相關領域，撰寫過以第三代半導體材料的氮化鎵相關博士畢業論文，畢業後至工研參加第三代半導體相關工作，任職達11年，後於新竹科學園區繼續從事第三代半導體工作（6年），2019年創辦百識電子，至今已有20年相關行業從業經驗。
宣融結合自身多年從業經驗，積極發展技術，從半導體材料生產為企業主要發展方向，將業務發展分為三步進行：外延片代加工、碳化硅6寸晶圓器件製造和氮化鎵6寸晶圓器件製造。這也正是百識半導體衝出困境的三個台階與戰略部署。
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首先對於國際技術封鎖，2018年美國商務部公佈新增的44家中國出口管制企業名單，限制美國的技術向其出口和轉移。其中名單中的中電科13所和55所是國內技術領先的化合物半導體研究機構。由於國內半導體行業起步晚、發展慢，也一度陷入被“卡脖子”的發展困境。
宣融表示：“相比國際大型第三代半導體廠商，百識的技術並不遜色，此前我曾於新竹科學園區將第三類半導體營業額由不足千萬提高到超三億，足見市場對於團隊技術的認可，現在團隊也有部分成員來自此前團隊，在技術上仍保持行業領先。除此之外，技術本身應該更多服務於市場，百識也結合市場需求開發定製化產品，以提高產品在行業中的影響力，以贏得更大的市場份額，這也是百識的核心戰略打法。”
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而關於市場需求，宣融認為，目前國內的第三類半導體發展既有需求也有困境。由於供應鏈不完整，整個行業始終處於一個“叫好不叫座”的狀態，在這種環境中想要去迎風發展第三類半導體產業，對於企業的商業發展而言十分艱難。於是百識半導體決定先做外部市場，等待機會並根據國外業務發展情況反向滲透國內市場。
選擇國外作為產品的首要發展地的原因有三：
首先國外在半導體材料行業的發展始終走在世界前列，其第三代半導體材料需求市場空間較大。
其次，宣融此前已經與多家企業，有過合作經歷，商業資源豐富，更容易達成合作。
最後，百識結合國外企業本身對於生產標準化和定製要求打磨產品，比起現有的供應商——美國科瑞，更具有規格優勢（美國產品規格寬鬆，但國外目前沒有更好的可替代產品）。
而發展國外市場的過程其實也是一個等待國內第三類半導體供應鏈成熟的階段，利用國外市場補足企業現金流，以瞄準國內更廣更大的藍海市場份額。據悉百識電子外延片代工廠將於年底投入生產，並於2021年完成部分訂單的交付。
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而百識電子的三步走發展戰略則恰好對應企業發展的三個階段。
宣融表示：“百識電子的融資將與發展階段直接掛鈎。”據悉，百識電子已於2019年完成了由和利資本注資的5000萬人民幣天使輪融資，以及2020年由和利資本領投，台達電等知名投資方跟投的超億元人民幣Pre-A輪融資，融資主要將用於建廠及生產設備購入。。下階段將於2020年年底開始運轉第三代半導體外延片工廠，並於2021年中啓動下一輪融資計劃，募資金額約4億人民幣，以用於新一輪工廠的建設和產線投入。
宣融表示：“接下來一個階段將是百識電子發展的重要階段，三步走第一步將於2020年年底正式邁出，預計2022產線滿載生產效率將達到2000片/月，此時百識電子也將迎來整體的營收平衡。我們也預計在年底將團隊規模由目前的10人擴建到30人，並2021年發展至50人。”
從企業穩步發展的角度出發，宣融認為外延片碳化硅目前市場規模約為15億美金，氮化鎵在射頻微波應用上市場規模約為12億美金，功率上約為1億美金。而國內的發展方向仍以功率器件（快充設備等）為主，市場規模小，且天花板低，因此百識電子擬定射頻微波應用為主要發展方向，拓展更大市場份額。
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