作者：時代財經 雷李平
露笑科技（002617.SZ）是鐵了心要跟第三代半導體材料碳化硅SIC捆在一起。這一次是直接坐實了100億的項目。
不過細究起來，這100億的項目第一筆投資只有3.6億，而後續投資的追加，這3.6億的表現十分關鍵。且這3.6億元也沒有明確一定或者全部由露笑科技出資。
有業內人士向時代財經記者指出，説白了，如果各方面都順利，72個月內投入100億有可能得以實施，而一旦有某個環節表現不佳，則百億項目僅僅也就是地方政府的“招商引資”了，“先引進來再説”。
此外，露笑科技在碳化硅襯底片製造方面的多項關鍵技術尚未研發成功，目前技術水平連完成10億元的定增項目都不能完全滿足。
（圖蟲）
從設備研發到百億項目僅兩年
9月15日晚，露笑科技公告正式與安徽長豐雙鳳經濟開發區管理委員會簽署了《長豐縣招商引資項目投資合作協議》。
公司將與長豐縣共同投資建設第三代功率半導體（碳化硅）產業園，主要建設國際領先的第三代功率半導體（碳化硅）的設備製造、長晶生產、襯底加工、外延製作等產業鏈的研發和生產基地。項目總投資 100 億元，其中一期投資 21 億元，項目一期建成達產後，可形成年產 24 萬片導電型碳化硅襯底片和 5 萬片外延片的生產能力。
公司公告
此前的8月8日，露笑科技剛與長豐縣簽署了共建上述產業園的《戰略合作框架協議》。從戰略合作到實際的落地，僅僅過了一個月的時間，露笑科技在碳化硅上的發力十分緊湊。
而動輒百億元的投資規模也較好地提振了露笑科技的股價。8月10日，週一露笑科技以漲停開盤。在9月初的第三代半導體概念熱炒中，露笑科技收穫了4個漲停，其中3個一字板，一個月內股價由6元竄升至10元一線。9月16日，露笑科技再次強勢漲停。
更早前的4月10日，露笑科技發佈公告，擬定向增發不超過 4.53億股，募集不超過 10億元，用於“新建碳化硅襯底片產業化項目”、“碳化硅研發中心項目”和“償還銀行貸款”項目。項目完成後，公司將形成年產 8.8 萬片6 英寸和4 英寸碳化硅襯底片的生產能力。
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這是露笑科技首次明確觸及碳化硅產品的具體制造。之前只是涉及到碳化硅晶體爐的製造和銷售。
根據露笑科技方面透露，2018 年下半開始，公司抽調內蒙古藍寶石公司的設備研發人員組建碳化硅晶體爐製造攻關小組，開始碳化硅晶體生長爐原型機的研發，2019年 7 月，生長爐研製成功。
同年8 月 5 日和 11 月 27 日，露笑科技公告與中科鋼研、國宏中宇簽訂碳化硅長晶爐銷售合同，合同金額分別為 1.26 億元和 3億元。
2019 年 8 月，露笑科技組建碳化硅晶體生長研發團隊，在自研設備的基礎上，開發碳化硅晶體生長的研究。
從去年8月的研究碳化硅晶體的生長，到今年4月份定增10億元開展碳化硅襯底片產業化項目，再到8月份的百億元的碳化硅設備製造——長晶生產——襯底加工——外延製作等近乎全產業鏈的研發和生產基地意向，和本次的意向落地，開始實施，露笑科技的碳化硅之路步步緊逼，節奏飛快。
尚不具項目完全技術實力
從露笑科技的動作來看，似乎第三代半導體材料碳化硅產業化，毫無技術含量，可以在短短兩年的時間內速成。
露笑科技在其定增預案中提及，目前全球碳化硅超過80%供應由美國科鋭公司（Cree Company）掌控，該公司於 1980 年代便開始投入研發及產業化。相較於國內，上海硅酸鹽研究所為最早投入研發的機構，但對於產業化及產業技術打通、器件應用部份，仍相較國外弱許多。顯然，露笑科技也承認，碳化硅相關技術的積累和突破沒有那麼容易。
但是，9月9日露笑科技在回覆交易所的問詢函時強調，公司依託藍寶石晶體生長設備製造、晶體生長和襯底片加工成熟的設計、製造、加工和管理經驗，轉型碳化硅晶體生產，具有較大的先天優勢。並且公司在資金、市場和技術方面已具備了進入碳化硅材料領域的條件，實施第三代半導體（碳化硅）產業園建設是可行的。
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然而，除了碳化硅長晶爐設備製造外，露笑科技只有導電型碳化硅襯底製備技術研發成功投入生產，半絕緣型碳化硅襯底製備技術和大尺寸導電型碳化硅襯底製備技術均還處於研發階段。其技術覆蓋在碳化硅的產業鏈“設備——長晶——襯底——外延——器件”中，第三步尚約1/4處。
值得注意的是，露笑科技定增擬投入6.5億元的碳化硅襯底片產業化項目，生產產品為 6 英寸 4-HN型碳化硅襯底片、4 英寸 4-H 半絕緣型碳化硅襯底片，也即目前露笑科技的技術能力，連定增項目的要求都不能完全滿足。
或者説，如果露笑科技半絕緣型碳化硅襯底製備技術，無法在兩年的建設期內研發成功，則公司定增的主打項目的生產線，將無法生產4 英寸 4-H 半絕緣型碳化硅襯底片。
同樣的，如果露笑科技的大尺寸導電型碳化硅襯底製備技術無法在一年內研發成功，則100億項目中第二期、第三期的年產 10 萬片 8 英寸襯底片、年產 10 萬片 8 英寸外延片和年產 15 萬片 8 英寸襯底片的建設，將無法及時跟進。
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一個有意思的細節是，在100億項目中，露笑科技尚未完成技術研發的“半絕緣型碳化硅襯底片”，沒有在三期項目中被單獨提及，一期項目主要為24萬片6英寸導電型碳化硅襯底片生產線和6 英寸外延片中試線建設，二三期中則完全沒有區分襯底片的性質。
此舉是否意味着，露笑科技自身也沒有信心在項目推進的時點上，完成半絕緣型碳化硅襯底製備技術的研發？
在問詢函回覆公告中，露笑科技提及，“公司已在浙江省諸暨市完成 6 英寸碳化硅試生產線，已經開始投產”。那麼，該生產線是否與10億定增項目有關？生產線的成品率、良品率怎樣？公司的技術研發是否有進展？
對於以上關鍵問題，時代財經記者多次致電露笑科技，但截止發稿前未獲得回應。
可進可退的百億碳化硅項目
實際上，除了技術實力不足，露笑科技在100億項目的設定中，也留有很大的可操作空間。
從露笑科技9月15日和9月9日的公告中，可以梳理出100億項目的具體落實細節：
露笑科技將採用自有資金與合肥市長豐縣共同出資建設第三代功率半導體（碳化硅）產業園；其中，露笑科技承諾與相關投資方在雙鳳經開區內註冊成立一家獨立核算的法人公司（以下簡稱“新公司”），新公司在長豐縣辦理工商註冊登記、銀行開户以及納税、統計等，新公司註冊資本不低於 3.6 億元；
長豐縣人民政府為項目提供優惠政策、資金（包括但不限於股權、債權投資）支持，包括但不限於與協議內容相關的長豐縣人民政府指定的國有公司或國有控股平台公司為項目提供資金支持。
露笑科技負責項目的投資建設，包括項目建設方案設計、工程建設、資金投入、技術研發、投後管理及生產經營服務等工作。
項目總投資 100 億元，分三期建設完成。露笑科技在用地等各項手續和相關條件齊備後 12 個月內完成一期項目建設並實現投產；60 個月內完成二、三期項目設和固定資產投資並實現投產，72 個月內實現達產。
100 億元總投資中一期投資 21 億元，一期固定資產投資 16億元（一期首次投資 3.6 億元，其中固定資產投資 3 億元）。
露笑科技計劃 2020 年 9 月底前開始項目土地購置、廠房建設及設備訂購，2020年年底前完成基礎設施建設及長晶設備安裝調試後開始試生產。一期投資中，計劃新購土地 100 畝，建設廠房 8 萬平米，固定資產投資 18 億元，流動資金 3 億元。
有業內人士向時代財經記者指出，“從這裏可以看出，協議中的100億項目，實際第一筆投入只有3.6億元（上述新公司註冊資本也為3.6億元），用於土地廠房建設，並不排除從露笑科技處採購設備試生產，進而完成一期建設”。而所需資金，必要的時候將由長豐縣人民政府及相關國資平台提供支持。
圖片來源：公司公告
實際上，露笑科技4月份的10億定增預案中，有3億元用於償還銀行貸款。截至 2019 年 9 月 30 日，公司合併口徑資產負債率為 64.35%，借款餘額為 23.61億元，其中長期借款餘額為10.61億元，償債壓力較大。
這意味着，僅靠露笑科技，很難支撐得起100億項目投入所需的資金。當然，也許後續資金並不需要多少。
公告中，露笑科技強調，第二期、第三期將在第一期項目基礎上根據市場情況追加投資。“若因項目一期建設進度、生產技術、內部管理水平、市場變化等因素導致投資項目未能達到預期收益，將會影響後續項目的進一步投資與建設”。
前述業內人士向時代財經記者解釋，“這就是説，包含第一筆3.6億元投資的一期項目一旦在諸多方面中有一方低於預期，後續的數十億元的投資將可以不用或暫緩追加。”屆時，整個項目的總投入無論是達到100億還是相差甚遠，都是合情合理的，因為已經提前提示了風險和可能性。
露笑科技在問詢函回覆公告中還提及，“項目投資規模主要是根據第三代功率半導體（碳化硅）產能配套性，以及同行業投入產出水平進行估算，具體細節還在論證和編制中”，也即，100億項目規模後續不排除調整的可能。
然而，不管100億碳化硅項目最終能落實多少投資，都是長豐縣招商引資的成功，露笑科技的股價連續漲停也是實打實的發生了。
碳化硅功率器件市場規模預測
而真正的碳化硅項目盈利或對露笑科技的業績貢獻呢？
光大證券分析師劉凱表示，預計2020-2022 年露笑科技碳化硅業務的收入主要由碳化硅長晶爐銷售貢獻，在暫時不考慮合肥合資公司碳化硅襯底收入貢獻的情況下，“我們預計公司碳化硅業務 2020-2022 年營業收入分別為 1.25、2.75、4.00 億元”。
2017-19年，露笑科技實現營業收入分別為32.45億元、30.20億元和24.52億元。今年上半年營業收入11.45億元，歸母淨利潤1.51億元。
廣州私募界人士向時代財經記者指出，“顯然，在兩年內，碳化硅業務並不能對露笑科技的業績作出有效的支撐”。
另據光大證券分析師劉凱透露，特斯拉在 MODEL 3 上使用 24 個 SiC MOSFET 模塊作為主驅逆變器的核心部件替代 IGBT，SiC MOSFET 使逆變器效率從 Model S 的 82%提升到Model 3 的90%。除了逆變器效率提升，SiC MOSFET 使器件體積縮小到原來的 1/10，承載功率是硅基器件的 80 倍，另外關斷能力和可靠性也得到大幅提升。