智通財經APP獲悉，申萬宏源發佈研究報告稱，首予新潔能(605111.SH)“買入”評級，預計2021-23年新潔能收入為15.89/21.15/26.21億元，歸母淨利潤為4.09/5.19/6.38億元，2021年可比公司PE估值均值為148X，新潔能當前市值對應2021PE76X，上升空間95%。
申萬宏源主要觀點如下：
新潔能是MOSFET、IGBT等功率器件領域的國內領先供應商。
新潔能成立於2013年，是國內率先掌握超結理論技術，並量產屏蔽柵及超結功率MOSFET的企業之一。2016年以來，連續5年被評為“中國半導體功率器件十強企業”。當前產品型號1500種。
產品及供應鏈三大變化，助力新潔能快速發展及盈利提升。
1)功率器件毛利率穩定高於芯片，2015-2020年功率器件收入從1.87億元提升至7.78億元，佔比從44.3%提升至81.5%。
2)2020年以來，率先切入12寸半導體平台，業績加速釋放。
3)2019年，子公司電基集成已初步完成先進封裝測試生產線的建設，將少部分芯片自主封裝後對外銷售。
2021年全球半導體功率器件市場規模有望反彈至293.89億美元，同比增長23.5%。
半導體功率器件可分為二極管、晶體管、晶閘管等，主要用於電力設備的電能變換和電路控制，是進行電能(功率)處理的核心器件，弱電控制和強電運行間的橋樑。2020年MOSFET市場規模81億美元，約佔功率器件市場規模1/3。2020-2026年，IGBT市場規模預計從54億美元增長至84億美元，CAGR為7.5%。2022年MOSFET+IGBT全球規模預計逾900億人民幣。
新能源推動寬禁帶半導體材料(SiC、GaN)功率器件的發展。
SiCMOSFET比Si基IGBT，導通電阻更低，使得產品尺寸降低、縮小體積、開關速度快，功耗相比於傳統功率器件要大大降低。2019年-2025年，SiC功率器件將從5.41億美元增至25.62億美元，CAGR約30%;2019年-2024年，電力電子GaN器件市場規模從約0.8億美元增至3.5億美元。
全球晶圓代工產能不足會持續到2022年之後，新潔能具穩定供應鏈優勢。
功率器件主力代工領域為8寸晶圓。6英寸晶圓廠陸續關停向8英寸切換，同時8英寸關停或向12英寸切換，2019年8寸晶圓廠數量才止跌回升。2018年以來8寸晶圓廠經歷3輪漲價。晶圓資源成為核心競爭力，新潔能與華虹宏力、華潤上華等晶圓廠具有多年深度合作優勢。
國產替代勢在必行，新潔能產品已具備優勢。
1)供需不匹配。需求方面，2020年中國分立半導體市場佔比36%;供給方面，功率器件市場國際大廠市場份額領先，中國半導體分立器件廠商市場銷售額佔比僅5%，主要功率半導體國產化率均不及50%。
2)國內晶圓廠與設計廠齊頭並進，MOSFET、IGBT相對其他半導體功率器件更具有差異化特徵，成熟的產業鏈協作對功率半導體Fabless企業至關重要。
3)新潔能部分產品工藝技術國內領先，在SiC/GaN等寬禁帶半導體功率器件的研發工作也形成了一定的技術突破。
風險提示：IGBT進展低於預期、SiC/GaN進展低於預期、功率器件市場景氣度下滑、監管工作函等。