逆向加碼？韓國三星電子繼日前宣佈在韓國平澤二廠（P2）擴建極紫外光（EUV）晶圓代工生產線（10兆韓元）後，1日再宣佈，將以8兆韓元在該廠擴大3D NAND記憶體產能，加上市場推估三星可能再加碼DRAM投資15兆韓元，這一波景氣危機，三星合計可能加碼33兆韓元（約新台幣8千億元）大投資。
由於三星的半導體策略一向是在景氣低迷時擴大投資，業界認為，三星近期可能會再宣佈在P2廠DRAM產能追加投資計劃。
新冠肺炎疫情及中美貿易戰導致市場不確定性大增，三星一如過往選擇在景氣低迷時大舉投資，以確保在晶圓代工及記憶體市場的競爭力。據外電報導，三星1日宣佈將擴建平澤二廠的3D NAND生產線，5月已開始進行無塵室施工，預計2021年下半年進入量產，與同樣位於平澤二廠的晶圓代工EUV生產線一起啓用。
三星雖然沒有公佈此次擴建3D NAND產能的投資金額，但業界預估大約投入約8兆韓元（約65億美元），將可增加每月2萬片的12吋晶圓產能，明年下半年會量產三星最先進的100層以上3D NAND產品，預估第一批投產的產品會是第六代V-NAND。
記憶體模組業者指出，美國總統大選年底結束，新冠肺炎疫情明年應會明顯緩和，所以記憶體市場明年將會是多頭年，包括資料中心、筆電及平板、智能手機等搭載容量將大幅提高，其中，筆電及智能手機搭載512GB及1TB儲存容量將成市場主流。三星現在啓動擴產計劃，明年下半年進入量產，正好可趕上下一波NAND Flash需求爆發時間點。
三星NAND Flash生產線主要分佈在韓國華城廠區、平澤廠區、以及中國西安廠區。其中，中國西安廠二期及平澤二廠已積極擴建無塵室及增建生產線，其中西安廠二期將用於投產100層以下3D NAND的第五代V-NAND，平澤二廠則會生產100層以上3D NAND的第六代V-NAND。
三星平澤二廠是綜合型晶圓廠，一層樓規畫建置EUV晶圓代工及3D NAND生產線，另一層樓則追加DRAM生產線。在三星宣佈5奈米EUV晶圓代工及3D NAND產能擴建計劃後，業界認為三星應很快會宣佈DRAM產能擴建計劃（金額推估將達15兆韓元），同樣在明年下半年量產。