IT之家 8 月 13 日消息 今晚，英特爾正式推出了 10 納米 SuperFin 技術，官方稱這是該公司有史以來最為強大的單節點內性能增強，帶來的性能提升可與全節點轉換相媲美。
英特爾表示，經過多年對 FinFET 晶體管技術的改進，英特爾正在重新定義該技術，以實現其歷史上最強大的單節點內性能增強。10nm SuperFin 技術擁有以下特點：
增強源極和漏極上晶體結構的外延長度，從而增加應變並減小電阻，以允許更多電流通過通道
改進柵極工藝以實現更高的通道遷移率，從而使電荷載流子更快地移動
提供額外的柵極間距選項可為需要最高性能的芯片功能提供更高的驅動電流
使用新型薄壁阻隔將過孔電阻降低了 30%，從而提升了互連性能表現
與行業標準相比，在同等的佔位面積內電容增加了 5 倍，從而減少了電壓下降，顯著提高了產品性能。該技術由一類新型的 “高 K”（ Hi-K）電介質材料實現，該材料可以堆疊在厚度僅為幾埃厚的超薄層中，從而形成重複的 “超晶格”結構。這是一項行業內領先的技術，領先於其他芯片製造商的現有能力。
IT之家瞭解到，10nm SuperFin技術將運用於代號為“Tiger Lake”的英特爾下一代移動處理器中。Tiger Lake正在生產中，OEM的產品將在假日季上市。