華為或成最大贏家！中國碳基芯片換道超車，台積電不再是唯一選擇

華為和台積電的芯片合作從28nm芯片就開始了，在長期的合作中，華為和台積電已經構建起了互相信任的合作關係，華為已經成了台積電營收的重要來源。雖然華為已經成為芯片設計領域的巨頭，但是要想在芯片綜合性能上戰勝高通，不得不選擇台積電最先進的工藝製程才能力壓高通芯片一頭，因此選擇台積電的先進工藝也成為了華為戰勝高通必然選擇。

眾所周知，台積電的最新工藝正在向2nm芯片製程進軍，而2nm芯片已接近硅基芯片的物理極限，也就是説進入2nm後，芯片製程的進步將進入停滯狀態，無法再進步了。這就要求台積電、三星等半導體芯片製造廠商研發新的技術以尋求芯片的進步，目前全球公認的下一代芯片製造替代材料就是石墨烯、碳基半導體材料。也就是説誰能找到新的芯片製造方法，誰就能獲得未來芯片製造的主動權，誰就能在未來賺得盆滿缽滿。

而對我國來説，雖然我國這幾年芯片的製造技術突飛猛進，進步很快，中芯國際已進入了12nm芯片製造，但是受限於EUV光刻機的限制，要想再進一步勢比登天。在光刻機領域，我國只能製造出90nm的光刻機，按照上海微電子傳聞中的最新工藝也只能製造28nm的芯片，即使使用多重曝光技術，最多也只能進入12nm芯片製造，相對於世界先進半導體制造的差距是20年左右，隨着美國對我國半導體設備的限制的進一步升級，7nm以下芯片的製造更是遙遙無期。

如何在硅基芯片上突破美國半導體技術和設備的限制，已經成為了擺在中國半導體產業面前不可逾越的難題，否則我國的芯片製造業將永遠受制於人。那麼要想突破這一瓶頸，我們唯一的途徑只能謀求換道超車。而近日傳來了一個好消息，有可能讓中國芯片製造技術有可能實現彎道超車，華為也不用再擔心美國的芯片斷供了，中國芯片製造將有可能徹底擺脱荷蘭EUV光刻機的制約。

5月26日是個值得紀念的好日子！就在這一天北京碳基集成電路研究院宣佈，中國科學院院士彭練矛和張志勇教授的基於碳基納米管晶體芯片的研發團隊，經過20多年的潛心攻關，終於不負眾望在新型碳基半導體材料的製備上取得重大突破，不僅突破了碳基半導體材料的製備技術瓶頸，而且在全球率先實現了碳基納米管晶體管的製備工藝突破。這意味着該研究院將打破傳統的硅基半導體再造瓶頸，芯片將進入碳基芯片時代，同時不但解決了碳基材料的純度、密度、面積等難題，也使得碳基芯片的製造成本更低、功耗和更小，效率更高。

在5月26日的記者見面會上，彭練矛教授還披露，如果手機使用同等柵長的硅基芯片看電視只能使用3小時的話，那麼使用同等柵長的碳基芯片就可以連觀看9小時。這意味着碳基芯片有望將傳統的二維硅基芯片升級到三維碳基芯片，運行速度提升3倍以上，有望很快在手機和基站上使用。

據彭練矛院士透露，2年前研究院的實驗生產線就已經制造出了4吋5微米柵長的碳基芯片，相當於當時的28nm硅基芯片工藝。而今年再次發佈的碳基芯片比2年前同等柵長的芯片綜合性能上提升了10倍以上，已基本上具備了碳基芯片規模化製造的基礎，已經可以和前端射頻期間廠家對接，目前研究院正在和華為等國內廠商技術對接。

目前我國碳基芯片關鍵技術全球領先，彭練矛研發團隊建議，我國應該充分抓住技術領先的時間窗口，率先實現新技術新工藝的產業化，抓緊改變我國的芯片製造的落後狀態。而且彭練矛團隊的碳基芯片製造技術還可以兼容硅基芯片製造技術，因此該技術成果對於我國芯片再造換道超車具有重要的意義。

目前，中美之間的華為戰爭正處於膠着狀態，該研究院碳基半導體技術的重大突破，意味着我國將改變對美國半導體技術和設備的過度依賴，成功在碳基半導體制造技術領域實現換道超車，華為從此也不用再擔心美國芯片的斷供了，華為或將成為我國碳基芯片技術突破的最大贏家。