華為公開“石墨烯場效應晶體管”專利，涉半導體領域

IT之家3月30日消息 企查查 App 顯示，近日，華為技術有限公司公開 “石墨烯場效應晶體管”專利，公開號為 CN110323266B。

IT之家瞭解到，專利摘要顯示，該申請提供一種石墨烯場效應晶體管，涉及半導體技術領域，可提高器件輸出電阻，從而提高開關比，實現更好的射頻性能。一種石墨烯場效應晶體管，包括：襯底、第一柵電極、第二柵電極、第一柵介質層、第二柵介質層、溝道層以及源電極和漏電極。

此外，溝道層的材料包括 AB 堆垛雙層石墨烯或者 AB 堆垛多層石墨烯；第一柵電極和第一柵介質層設置於溝道層的一側，第二柵電極和第二柵介質層設置於溝道層的另一側；第一柵電極包括多個間隔設置的第一子電極以及第一連接子電極；第一子電極的延伸方向與源電極和漏電極的間距方向交叉，第一連接子電極與溝道層在襯底上的投影無交疊；第一子電極和第二柵電極用於向溝道層提供垂直於溝道層的縱向電場。