本文轉自【快科技】；
IEEE ISSCC國際固態電路大會上，三星(確切地説是Samsung Foundry)首次展示了採用3nm工藝製造的芯片，是一顆256Mb(32MB)容量的SRAM存儲芯片，這也是新工藝落地傳統的第一步。
在三星路線圖上，14nm、10nm、7nm、3nm都是全新工藝節點，其他則是升級改善型，包括11/8/6/5/4nm等等。
三星將在3nm工藝上第一次應用GAAFET(環繞柵極場效應晶體管)技術，再次實現了晶體管結構的突破，比現在的FinFET立體晶體管又是一大飛躍。
GAAFET技術又分為兩種類型，一是常規GAAFET，使用納米線(nanowire)作為晶體管的鰭(fin)，二是MBCFET(多橋通道場效應晶體管)，使用的鰭更厚更寬一些，稱之為納米片(nanosheet)。
三星的第一顆3nm SRAM芯片用的就是MBCFET，容量256Mb，面積56平方毫米，最令三星驕傲的就是超低功耗，寫入電壓只需要區區0.23V，這要感謝MBCFET的多種省電技術。
按照三星的説法，3GAE工藝相比於其7LPP，可將晶體管密度增加最多80％，性能提升最多30％，或者功耗降低最多50％。
或許，這可以讓三星更好地控制芯片功耗、發熱，避免再出現所謂的“翻車”。