TrendForce：氮化鎵功率器件市場 2021 年增長率可達 90.6%

IT之家3月13日消息 TrendForce 集邦諮詢近日發佈了 GaN 氮化鎵市場調查報告。報告顯示，儘管 2018 年至 2020 年以氮化鎵為代表的第三代半導體產業受到貿易摩擦、疫情影響增長受到壓力，但 2021 年該產業成長動能有望高速回升，預計 GaN 氮化鎵功率器件市場規模將達到 6100 萬美元，年增長率達到 90.6%。

TrendForce 詳細介紹了作出此預測的原因。首先，新冠疫苗的問世有望緩解全球疫情，進而帶動工業能源轉換所需零組件如逆變器、變頻器等，以及通訊基站需求回穩。其次，隨着特斯拉 Model 3 電動車逆變器逐漸採用 SiC 碳化硅器件，第三代半導體於車用市場逐漸備受重視。最後，中國政府為提升半導體自主化，今年提出十四五計劃投入鉅額人民幣擴大產能，上述都將成為推升 2021 年 GaN 及 SiC 等第三代半導體高速成長的動能。

IT之家獲悉，GaN 器件的製造主力以 6 英寸晶圓為主，但台積電、VIS 等代工廠嘗試引入 8 英寸晶圓生產氮化鎵器件。TrendForce 預期 2021 年通訊及功率器件營收分別為 6.8 億和 6,100 萬美元，年增 30.8% 及 90.6%。

研究機構表示，GaN 功率器件年增最高的主因是手機品牌如小米（Xiaomi）、OPPO、Vivo 自 2018 年起率先推出快速充電頭，憑藉高散熱效能與體積小的產品優勢獲得消費者青睞，截至目前筆電廠商也有意跟進。預計 GaN 器件會持續滲透至手機與筆電配件，且年增率將在 2022 年達到最高峯，後續隨着廠商採用逐漸普及，成長動能將略為趨緩。

針對 SiC 碳化硅器件，由於通訊及功率領域皆需使用該襯底，6 英寸晶圓的供應量顯得吃緊，預估 2021 年 SiC 器件於功率領域營收可達 6.8 億美元，年增 32%。目前各大襯底商如科鋭（CREE）、貳陸（II-VI）、意法半導體（STMicroelectronics）等已陸續開展 8 英寸襯底研製計劃，但仍有待 2022 年後才有望逐漸紓緩供給困境。