來源：粵開崇利論市
粵開證券研究院策略分析師 李興
第三代半導體是“十四五”重要發展方向
據國家新材料產業發展專家諮詢委員會委員介紹，國家2030計劃和“十四五”國家研發計劃已明確第三代半導體是重要發展方向。
（一） 第三代半導體下游應用切中“新基建”中5G基站、特高壓、新能源充電樁、城際高鐵交主要領域。
（二） 第三代半導體產品主要使用成熟製程工藝，國內廠商起步與國外廠商相差不大，有望實現技術上的追趕。
在美國對我國半導體產業技術封鎖持續升級的大環境中，第三代半導體有望成為我國半導體產業的突圍先鋒，相關產業鏈上下游企業將充分受益。
半導體產業鏈概覽
（一）IC設計。除華為海思之外，我國IC設計企業分散較廣，規模普遍較小。IC龍頭公司需要精選賽道，我國功率半導體、模擬器件以及Wi-Fi、指紋識別、音頻等消費類芯片領域，更有希望在下游快速發展的過程中享受國產替代和市場發展的雙重紅利。
（二）IC製造。晶圓代工行業呈明顯的寡頭壟斷特徵，20Q1前十大純晶圓代工廠商佔全球市場97%的市場份額。我國IC製造的挑戰和不確定性在於先進製程，成熟製程以及存儲器企業的國產化已取得一定成績。邏輯芯片方面，先進製程中芯國際的14nm新產能正在有序推進，與台積電代差逐步縮小；成熟製程中北京燕東、上海積塔、廣東粵芯等新產能擴張能夠對產業鏈形成有效拉動。存儲器企業方面，以長江存儲、合肥長鑫等為主的存儲器廠商產能佈局已達到海外大廠水平。
（三）IC封裝測試。封裝測試是我國半導體產業鏈中發展最成熟的環節，最先有望實現自主可控的領域，國產技術已步入第一梯隊，未來發展趨勢是先進封測與製造端相融合。國內前三大封裝測試廠為長電科技、通富微電、華天科技。第二梯隊可關注晶方科技、太極實業。
（四）半導體設備。全球半導體設備市場集中度較高，主要核心設備領域由歐、美、日廠商主導。我國半導體設備自給率低，需求缺口較大，當前中端設備領域初步形成產業鏈成套佈局，但高端製程/產品仍需攻克，挑戰與機遇並存。一方面重點關注成熟的一線設備，包括北方華創、中微公司、盛美股份（擬科創板上市）、華峯測控；另一方面關注新進設備企業，包括檢測、清洗、鍍膜、長晶設備領域，如晶盛機電、精測電子、至純科技等。
（五）半導體材料。半導體材料分為基體、製造、封裝三大類，我國靶材領域已經比肩國際水平，但在光刻膠等高端領域仍需較長時間實現國產替代。在晶圓產線向中國大陸轉移趨勢下，國產半導體材料廠商有望享受市場規模增加疊加市場份額提升的雙重紅利。中短期主要關注國產化進程較快的領域如電子特氣、濕電子化學品、靶材、CMP拋光液等，中長期關注高端光刻膠、晶圓材料、CMP拋光墊等領域。
粵港澳大灣區半導體產業及投資方向
（一）粵港澳大灣區半導體產業具備良好的發展機遇
粵港澳大灣區具備全面的芯片市場需求。中國芯片需求佔全球60%，其中60%來自於粵港澳大灣區，芯片需求覆蓋了從消費電子到工業控制、家電和裝備製造、汽車電子等各個產業。
粵港澳大灣區集成電路產業的政策支持力度不斷加大，產業發展環境不斷完善。近幾年粵港澳大灣區陸續出台集成電路相關支持政策，10月9日，廣東省印發《廣東省培育半導體及集成電路戰略性新興產業集羣行動計劃（2021-2025年）》，目標到2025年，半導體及集成電路產業的年主營業務收入突破4000億元，年均增長超過20%。
（二）粵港澳大灣區半導體產業格局
廣深珠港澳已初步形成了各自在半導體產業上的優勢。廣州的優勢在應用和製造；深圳、珠海強在產品和設計；澳門的科研水平世界領先；香港在知識產權保護上擁有國際經驗。
在發展思路上，在當前國際技術封鎖及國內區域競爭加劇的背景下，廣東應充分利用終端需求市場規模大的優勢，做大做強設計業，鞏固設計業的競爭優勢，並爭取在EDA軟件上實現突破，重點發展模擬芯片、功率器件和第三代半導體器件等，大力引進和培育封測、設備、材料等領域龍頭企業，加快補齊製造業短板。鑑於長三角等地在先進製程和存儲芯片製造、封裝測試等已形成優勢，廣東應重點在特色工藝製程和已有一定基礎的功率器件、第三代半導體方面發力。
（三） “十四五”半導體產業主要的投資方向
1、功率半導體產業鏈。功率半導體器件處於現代電力電子變換器的核心地位，受益於下游需求增長、國產替代，以及細分市場的高增速，國內功率產業鏈領先公司盈利有望快速提升。（1）功率半導體下游需求快速增長，全球市場規模增速約5%；（2）功率半導體國產替代空間大、難度相對較低，頭部廠商充分受益；（3）國內產能佈局完善，中高端產品不斷取得突破。
2、第三代半導體產業鏈。十四五有望出台第三代半導體政策，由於我國第三代半導體應用市場廣闊，與國際巨頭差距較小，且第三代半導體工藝產線對設備要求相對較低，國內公司存在彎道超車機會。在資本的推動下，發展路徑清晰的第三代半導體龍頭公司受益概率較大。
相關標的：
（1）第三代半導體器件領域，聞泰科技已實現GaN器件量產，華潤微、揚傑科技已實現SiC功率器件的產品送樣；IGBT領域，中車時代已在軌道交通、智能電網、新能源汽車等多個高端領域得到認可和應用，斯達半導和比亞迪已在國內新能源車IGBT領域佔據可觀份額。
（2）設備領域，龍頭公司包括北方華創、華峯測控、中微公司。
（3）粵港澳大灣區未上市企業在第三代半導體產業鏈亦有佈局：東莞天城（SiC外延）；中鎵半導體（GaN襯底）；南砂晶圓（SiC襯底及外延）。
風險提示
衞生事件導致需求不及預期風險；貿易戰持續惡化風險；政策推進不及預期風險。
一、第三代半導體是“十四五”重要發展方向
據國家新材料產業發展專家諮詢委員會委員介紹，國家2030計劃和“十四五”國家研發計劃已明確第三代半導體是重要發展方向。從下游應用、技術差距、工藝要求分析，第三代半導體有望成為我國半導體產業突圍先鋒。
（1）第三代半導體下游應用切中“新基建”中5G基站、特高壓、新能源充電樁、城際高鐵交主要領域。以GaN、SiC為代表的第三代半導體材料與第一、二代半導體材料Si、GaAs不同，具有高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高温、抗輻射等特性，可以實現更好的電子濃度和運動控制，在5G、新能源汽車、消費電子、新一代顯示、航空航天等領域有重要應用。由於成本較高，SiC的應用主要集中在工業和汽車領域，如高端電源、太陽能逆變器和UPS，SiC在高功率領域具備較好的表現，因此在電動汽車將是主要發展領域。GaN由於其優異的高頻性能，未來在射頻領域具備良好的發展空間。據Omdia測算，全球SiC和GaN功率半導體銷售收入預計將從2018年的5.71億美元增至2020年底的8.54億美元，至2029年底或超50億美元，未來十年將保持年均兩位數增速。
（2）第三代半導體產品主要使用成熟製程工藝，國內廠商起步與國外廠商相差不多，有希望實現技術上的追趕。在第一代及第二代半導體材料的發展上，我國起步時間遠遠慢於其他國家，導致在材料上處處受制於人。第三代半導體處於發展初期，根據中國電子技術標準化研究院以及Yole數據，2019年第三代半導體SiC以及GaN的滲透率合計約為1.77%，預計2023年可以提升至4.75%左右。
在美國對我國半導體產業技術封鎖持續升級的大環境中，第三代半導體有望成為我國半導體產業突圍先鋒，相關產業鏈上下游企業將充分受益。
二、半導體產業分類及規模
按照產品功能劃分，半導體產業包括集成電路、光電器件、分立器件、傳感器四類。據WSTS統計數據，2019年這四種產品的市場規模分別為3334億美元、416億美元、239億美元和135億美元，佔比分別為81%、10%、6%和3%。常説的“芯片”有廣義和狹義之分，廣義芯片包括集成電路、傳感器、分立器件、光電器件產品，狹義芯片單指集成電路。
對四種半導體產品進一步定義。
1．分立器件：具有單一功能的電路元器件，如二極管、晶體管、電阻、電容等。
2．光電器件：利用半導體光生伏特效應工作的光電池和半導體發光器等，如光導管、光電池、光電二極管等。
3．半導體傳感器：利用半導體材料特性製成的傳感器，如光傳感器、温度傳感器、壓力傳感器等。
4．集成電路：把基本電路元器件製作在晶片上然後封裝起來，形成具有一定功能的單元。
按照不同的處理信號分類，可以分為處理模擬信號的模擬芯片，及處理數字信號的數字芯片。
按照產品種類，集成電路可分為邏輯芯片、存儲芯片、處理器芯片和模擬芯片四種，其中邏輯芯片、存儲芯片和處理器芯片為數字芯片。根據WSTS數據，2019年這四種集成電路芯片的市場規模分別為1065億美元、1064億美元、664億美元和539億美元，佔比分別為32%、32%、20%和16%。
我國的半導體市場需求巨大，行業發展迅速，但自給率較低，企業規模偏小。依託龐大的中國終端應用市場需求，中國大陸集成電路產業發展迅速。據中國半導體行業協會數據，2014年中國大陸集成電路產業的銷售規模為3015.4億元，2019年銷售規模為7，562.3億元，同比增長15.78%，2014-2019年的CAGR為20.19%，發展迅速。全球十大半導體公司中六家為美國企業，兩家為韓國企業，一家為中國台灣企業，中國大陸僅華為海思營收規模位列第十名。
進出口數據表明我國集成電路國內自給率較低，國產替代空間廣闊。據中國海關數據統計，2019年我國芯片的進口金額為3040億美元，出口額1017億美元，貿易逆差超過2000億美元，自給率較低。據2020年8月4日國務院發佈的《新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展的若干政策》，目標到2025年芯片自給率由目前的30%提高至70%，國產替代空間廣闊。
三、半導體產業鏈概覽
半導體產業鏈上游為支撐業——材料和設備；中游是半導體生產的三道工序——設計、製造以及封測；下游是各種終端產品，如通訊設備、消費電子、汽車、工業等。
集成電路製造三大工序中，技術門檻從高到低依次為製造/設備>設計>封測，我國晶圓製造和芯片設計行業銷售額增長較快。2019年芯片設計業銷售收入為3，063.50億元，同比增長21.60%；晶圓製造業銷售收入為2，149.10億元，同比增長18.20%；封裝測試業銷售收入為2，349.70億元，同比增長7.10%。隨着近年來中國一批12英寸和8英寸晶圓製造生產線投產，且國內外芯片設計業蓬勃發展，大陸晶圓製造行業增長較快。
（一）IC設計
IC設計即按照功能要求設計出所需要的電路圖，最終的輸出結果是掩膜版圖，是創新密集型的輕資產行業，由於沒有工廠Fab，也被稱為Fabless。
除華為海思之外，我國IC設計企業分散較廣，規模普遍較小。按營收規模排名，海思處於全球第4-5名。我國IC設計企業細分領域具備亮點，核心關鍵領域設計能力不足。從應用類別（如手機、汽車等）到芯片項目（如處理器、FPGA等），國內在高端關鍵芯片自給率幾近為0，仍高度仰賴美國企業。
借鑑美國發展經驗，定位不同賽道的龍頭公司發展速度各不相同。如定位手機處理器芯片和射頻芯片的高通、Skyworks過去十年分別取得了1.5倍和9.3倍的增長；定位通訊芯片的博通取得19.2倍增長；定位存儲芯片的美光取得3.7倍增長；定位FPGA，模擬芯片的賽靈思獲得3.6倍增長。
IC龍頭公司需要精選賽道，我國功率半導體、模擬器件以及Wi-Fi、指紋識別、音頻等消費類芯片領域，更有希望在下游快速發展的過程中享受國產替代和市場發展的雙重紅利。IC設計公司中，關注5G帶來的手機主芯片及射頻芯片增量、ALOT中智能音頻市場爆發，以及華為被迫去A化帶來的投資機會。各賽道龍頭包括（1）功率半導體：聞泰科技、斯達半導、新潔能；（2）模擬芯片：聖邦股份、思瑞浦；（3）射頻：卓勝微；（4）WIFI/藍牙：樂鑫科技、恆玄科技；（5）生物識別：匯頂科技；（6）CIS：韋爾股份；（7）存儲芯片：兆易創新、北京君正、瀾起科技。
（二）IC製造
IC製造將設計好的電路圖轉移到硅片等襯底材料上，輸出結果為含有芯片的晶圓。製造工藝流程包括單晶硅片製造、前道工藝以及後道工藝，步驟繁雜，少則幾百步，多則上千步，時長以月為單位。
半導體代工廠通常有三大衡量指標：（1）先進製程，即芯片內部的晶體管的柵長。工藝製程反應半導體制造技術先進性，目前能夠量產的最先進工藝是台積電的5nm，國內半導體代工廠最先進的是中芯國際的14nm。（2）晶圓尺寸，生產功率半導體主要使用6英寸和8英寸硅片，微控制器使用8英寸硅片，邏輯芯片和存儲芯片則需要12英寸硅片，隨着半導體技術的發展和市場需求的變化，目前硅片正向大尺寸趨勢發展。（3）產能，通常半導體制造廠商不會輕易擴產，產能在1年左右的短期內是穩定的，當半導體景氣度來臨，產能決定公司的收入。
晶圓代工行業呈明顯的寡頭壟斷特徵。由於技術、資本和人才密集，市場集中度較高。根據ICInsights統計，20Q1前十大純晶圓代工廠商佔全球市場97%的市場份額，前五大廠商（台積電、三星、格羅方德、聯華電子、中芯國際）佔全球市場90%的市場份額。
（1）技術方面，掌握先進製程才能獲得高市場份額和高毛利。晶圓代工市場共700億美元市場規模，其中先進製程佔據30%，客户產品隨技術進步整體遷移，掌握最先進製程者才能掌握最先進客户獲得高毛利。
（2）資本投入方面，由於製造產業需要持續高投入，資本開支的80%用於購買設備，且每代節點的資本投入增速為30%，因而玩家數量逐步減少。以台積電為例，150億美元Capex中，約120億美元用於採購先進工藝設備。聯華電子、格芯在14nm節點退出後，10nm以下玩家只剩下台積電、英特爾、三星，以及追趕中的中芯國際。
我國IC製造的挑戰和不確定性在於先進製程，成熟製程以及存儲器企業的國產化已取得一定成績。
（1）邏輯芯片方面，先進製程中芯國際的14nm新產能正在有序推進，與台積電代差逐步縮小；成熟製程中北京燕東、上海積塔、廣東粵芯等新產能擴張能夠對產業鏈形成有效拉動。目前國際競爭環境對本土半導體產業的發展和崛起形成挑戰和阻撓，短期確實有較大不確定性，但中長期看本土半導體企業擴產追趕的步伐依舊堅定。
（2）存儲器企業方面，以長江存儲、合肥長鑫等為主的存儲器廠商產能佈局已達到海外大廠水平。合肥長鑫作為DRAM國產替代龍頭，1xnmDDR4產品已上市銷售，與國際領先水平僅相差一代；長江存儲為NANDFlash國產替代龍頭，64層產品已出貨，128層NANDFlash有望突破，將達到國際水平。
（三）IC封裝測試
封裝測試即在完成測試後，將從硅片或其他襯底上切割出來並裝配到最終電路管殼中，引入接線端子，並引入絕緣介質固定保護，輸出產品可直接裝配到電子設備上，形成一體化結構，工藝流程為測試-切割-粘接-焊接-模封。
封裝測試是我國半導體產業鏈中發展最成熟的環節，最先有望實現自主可控的領域，國產技術已步入第一梯隊，未來發展趨勢是先進封測與製造端相融合。中國台灣的日月光和矽品長期位於行業第一和第三，第二名為美國安靠。中國大陸的長電科技於2015年收購新加坡的星科金朋後，排名進入行業第三。
國內前三大封裝測試廠為長電科技、通富微電、華天科技。短期貿易摩擦可能帶來業績波動風險，長期封測龍頭企業有望在5G及國產替代下受益。（1）長電科技：通過收購星科金朋，獲得SiP、WLP、FC+Bumping能力以及扇出型封裝技術，技術達到國際一流水平，在先進製程+先進封裝融合的趨勢下，將與中芯國際展開協同，定增加碼封測技術投入，20H1業績超預期。（2）通富微電：AMD合作封裝測試廠，擁有WLP、FlipChip等先進封裝技術，業績將充分受益AMD的新品放量。（3）華天科技：三大工廠崑山、西安、天水廠覆蓋高中低端封裝，CMOS圖像傳感器等CMOS圖像傳感器封裝短期增量較大。
第二梯隊可關注晶方科技、太極實業。晶方科技是國內最早擁有WLP封測能力廠商，專注CMOS圖像傳感器等產品封裝，將充分受益圖像傳感器放量。太極實業與SK海力士成立合資公司海立半導體，專注於存儲器封測，子公司太極半導體擁有自主存儲器封測技術能力。
（四）半導體設備
應用於集成電路領域的設備通常可分為硅片製造、前道工藝設備（晶圓製造）和後道工藝設備（封裝測試）三大類。晶圓製造環節設備投資佔整體的70%以上，是製造IC的關鍵。七大工藝步驟（氧化/擴散、光刻、刻蝕、離子注入、薄膜生長、清洗與拋光、金屬化），對應專用設備包括氧化/擴散設備、光刻設備、刻蝕設備、清洗設備、離子注入設備、薄膜沉積設備、機械拋光設備等。其中光刻機、刻蝕機、薄膜沉積設備為核心設備，分別佔晶圓製造環節設備成本的24%、10%、18%。另外封裝及組裝設備約佔10%，測試設備約佔8%，其他設備約佔5-10%。
半導體專用設備市場與產業景氣狀況緊密相關，下游市場需求帶動設備規模持續增長。據SEMI統計，2019年全球半導體設備銷售額為597.5億美元，其中中國大陸半導體設備銷售額為134.5億美元，佔比23%。據SEMI預測，2020年全球半導體生產設備的出貨金額受到新冠肺炎的影響，同比下滑4%，預計2021年同比增長24%，增至677億美元（約人民幣4，739億元）。根據Gartner預計，半導體專用設備市場規模2024年將增長至602.14億美元。2020年-2024年CAGR為6.27%。未來隨着下游5G通信、計算機、消費電子、網絡通信等行業需求的穩步增長，以及物聯網、人工智能、汽車電子、智能手機、智能穿戴、雲計算、大數據和安防電子等新興領域的快速發展，集成電路產業面臨着新型芯片或先進工藝的產能擴張需求，為半導體專用設備行業帶來廣闊的市場空間。
全球半導體設備市場集中度較高，主要核心設備領域由歐、美、日廠商主導。2019年全球半導體設備廠商CR5達到78%，CR10達到92%。光刻設備、顯影設備、清洗設備、異物檢查設備、缺陷檢查設備幾乎為“一超多強”的模式；光掩膜檢查設備、CVD設備、熱處理設備、CMP設備、單片式清洗設備為“二超多強”的模式；幹蝕設備幾乎為“三超一強”的模式。
我國半導體設備自給率低，需求缺口較大，當前中端設備領域初步形成產業鏈成套佈局，但高端製程/產品仍需攻克，挑戰與機遇並存。中國本土半導體設備廠商只佔全球份額的1-2%，在關鍵領域如沉積、刻蝕、離子注入、檢測等，仍高度仰賴美國企業。中國雖然在力推半導體生產設備的國產化，但尖端生產設備的研發需要相當長時間。
（1）高端光刻機市場差距較大。荷蘭公司ASML壟斷高端光科技市場，佔據全球近80%的市場份額，日本的尼康、佳能以及美國的Ultratech緊隨其後。中國企業上海微電子、中子科技等公司已實現了光刻機的量產，但在最先進技術領域仍然與國際巨頭有較大差距。
（2）中國企業的刻蝕設備生產技術已逐漸達到國際先進水平。刻蝕主要可分為濕法刻蝕和幹法刻蝕，市場上90%以上的廠家採取幹法刻蝕。在幹法刻蝕中的等離子刻蝕領域，美國的泛林集團市場份額位列第一，美國的AMAT、日本的東京電子也是刻蝕設備領域的龍頭企業。中國企業中微半導體的7nm刻蝕機已實現量產，5nm刻蝕機已通過驗證。
（3）薄膜沉積設備領域國產廠商市場地位逐步提高。美國應用材料股份有限公司（AMAT）是全球最大的半導體晶圓製造設備的提供商，在CVD和PVD設備領域保持領先地位。中國企業包括北方華創和瀋陽拓荊等公司，目前仍在對關鍵技術進行積極突破，技術水平較歐美先進水平有一定差距，但已基本實現28nm製程的生產能力，市場地位逐步提高。
半導體設備領域關注兩條主線：
（1）重點關注成熟的一線設備，包括北方華創、中微公司、盛美股份（擬科創板上市）、華峯測控；
（2）關注新進設備企業，包括檢測、清洗、鍍膜、長晶設備領域，上市企業包括晶盛機電、精測電子、至純科技等。
（五）半導體材料
根據半導體芯片製造過程，一般可以將半導體材料分為基體、製造、封裝三大類：其中基體材料包括硅晶圓、硅基材以及化合物半導體；製造材料包括光刻膠、拋光材料、掩模版、特種氣體等；封裝材料包括鍵合絲、陶瓷封裝材料、芯片粘結材料等。其中硅晶圓、掩模版、電子氣體佔據市場份額較大。
中國大陸半導體材料市場增速最快，為全球第三大市場。據SEMI數據，2019年全球半導體材料銷售額約為521.1億美元，同比下降1.1%，中國大陸銷售額113.4億美元，佔全球21.8%，同比逆勢上漲1.9%。各環節國產替代能力從高到低大致排序為：高純化學品，靶材，特種氣體，拋光液，研磨墊，大硅片，光刻膠。細分領域中，我國靶材領域已經比肩國際水平，但在光刻膠等高端領域仍需較長時間實現國產替代。
在晶圓產線向中國大陸轉移趨勢下，國產半導體材料廠商有望享受市場規模增加疊加市場份額提升的雙重紅利。中短期主要關注國產化進程較快的領域如電子特氣、濕電子化學品、靶材、CMP拋光液等，中長期關注高端光刻膠、晶圓材料、CMP拋光墊等領域。
四、粵港澳大灣區半導體產業及投資方向
（一）粵港澳大灣區半導體產業具備良好的發展機遇
粵港澳大灣區具備全面的芯片市場需求。中國芯片需求佔全球60%，其中60%來自於粵港澳大灣區，芯片需求覆蓋了從消費電子到工業控制、家電和裝備製造、汽車電子等各個產業。廣東是我國信息產業第一大省，終端需求龐大。2019年全國集成電路產量為2018.21億塊，同比增長7.2%，廣東省集成電路產量363.24億塊，同比增長20.76%，佔全國集成電路產量的18%。2019年廣東的集成電路產業主營業務收入超過1200億元，其中集成電路設計業營業收入超過1000億元，設計業營業收入全國第一，擁有廣州和深圳兩個國家級集成電路設計產業化基地，基本形成以廣州、深圳、珠海為核心，帶動佛山、東莞、中山、惠州等地協同發展的產業格局。
粵港澳大灣區集成電路產業的政策支持力度不斷加大，產業發展環境不斷完善。近幾年粵港澳大灣區陸續出台集成電路相關支持政策。據深圳《深圳市進一步推動集成電路產業發展行動計劃（2019-2023年）》，目標到2023年，集成電路產業整體銷售收入突破2000億元，設計業銷售收入突破1600億元，製造業及相關環節銷售收入達到400億元。引進和培育10家銷售收入20億元以上的骨幹企業。2019年初，廣州市引發《廣州市加快發展集成電路產業的若干措施》，10月9日，廣東省印發《廣東省培育半導體及集成電路戰略性新興產業集羣行動計劃（2021-2025年）》，目標到2025年，半導體及集成電路產業的年主營業務收入突破4000億元，年均增長超過20%。
（二）粵港澳大灣區半導體產業格局
廣深珠港澳已初步形成了各自在半導體產業上的優勢。廣州的優勢在應用和製造；深圳、珠海強在產品和設計；澳門的科研水平世界領先；香港在知識產權保護上擁有國際經驗。
深圳的IC設計產業較強，IC製造和IC封測行業則相對薄弱。2018年中國十大IC設計企業（海思半導體、紫光展鋭、豪威科技、北京智芯微、華大半導體、中興微電子、匯頂科技、士蘭微、北京矽成、格科微）中深圳企業就有4家（海思、華大、中興、匯頂）。
東莞在集成電路領域擁有龐大的需求市場。松山湖作為東莞市IC設計企業的集聚地，目前已經入駐多家IC產業鏈企業，已形成在細分領域龍頭企業帶動下，一批有潛力的初創企業共同推動園區的集成電路設計產業格局，產業氛圍日漸濃厚。
廣州及周邊地區已成為國內集成電路最大的集散地和消耗地，擁有興森快捷、安捷利、風華芯電、新星微電子、豐江微電子等一批封裝測試企業，其中廣州開發區擁有政策大力扶持的集成電路產業創新園區和中新知識城，所在的黃埔區擁有廣州60家集成電路企業中的35家（2018年廣州市工信局企業統計數據）以及廣州國芯芯片項目。隨着2019年粵芯半導體的國內首座IDM12吋芯片廠量產，大灣區半導體“一日集成電路產業圈”已初現雛形。
珠海在上世紀90年代是廣東集成電路產業發展環境最好的城市，近些年隨着珠海產業政策環境不斷弱化，產業競爭優勢逐漸減弱。2018年珠海集成電路產業營收約60億元，產業規模居珠三角第二位，居全國第八位。當前，珠海正積極攜手澳門，促進澳門產業多元發展，努力集聚形成集成電路、生物醫藥、新材料、新能源、高端打印設備等5個千億級產業集羣，加快打造澳珠發展極。
香港集成電路產業的發展歷程其主要經歷了IC封裝製造、分銷增值服務和IC設計三個階段。由於其知識產權保護的監管力度較強，在物流、資金、信息交流方面具備優勢，且大學的科研水平名列前茅，未來發展將以分銷渠道為主，設計業也將迎來巨大發展勢頭。
根據《廣東省培育半導體及集成電路戰略性新興產業集羣行動計劃（2021-2025年）》，目前大灣區存在的問題主要在設計和製造兩方面，設計企業規模偏小，高水平設計能力不足；製造環節短板明顯，實現規模化量產的12英寸晶圓線僅粵芯半導體1條。另外，人才供求矛盾突出，產業鏈對外依存度高。
因此在發展思路上，在當前國際技術封鎖及國內區域競爭加劇的背景下，廣東應充分利用終端需求市場規模大的優勢，做大做強設計業，鞏固設計業的競爭優勢，並爭取在EDA軟件上實現突破，重點發展模擬芯片、功率器件和第三代半導體器件等，大力引進和培育封測、設備、材料等領域龍頭企業，加快補齊製造業短板。鑑於長三角等地在先進製程和存儲芯片製造、封裝測試等已形成優勢，廣東應重點在特色工藝製程和已有一定基礎的功率器件、第三代半導體方面發力。
（三）“十四五”半導體產業主要的投資方向
1、功率半導體產業鏈
功率半導體器件處於現代電力電子變換器的核心地位，受益於下游需求、國產替代，以及細分市場的高增速，國內功率產業鏈領先公司盈利有望快速提升。
（1）功率半導體下游需求快速增長，全球市場規模增速約5%。功率半導體廣泛應用於電網的發電端、傳輸端和用電端。發電端方面，新能源發電的興起對電能轉換需求更大，功率半導體可用作AC/DC、DC/AC轉換器，輸出穩定高質電能到電網；用電端方面，新能源電動車帶來巨大增量市場；另外物聯網、雲計算、工業自動化、用電設備的升級、快充興起等也為市場整體貢獻了顯著增量。根據Omida預測，全球功率半導體市場規模有望從2020年的430億美元增長至2024年的520億美元以上，CAGR約為5%。
（2）功率半導體國產替代空間大、難度相對較低，頭部廠商充分受益。根據IHS，2019年中國功率半導體市場規模為144億美元，佔全球市場約36%的份額，而主要器件國產化率均未超過50%，IGBT模組、MOSFET、晶閘管、整流器的國產化率更是隻有30%多，國產替代空間廣闊。同時由於功率半導體技術更迭慢，製程相對邏輯IC工藝投資力度小，技術難度低、生態要求也更低，國產廠商更易突破。國內廠商有望伴隨細分市場的高速成長帶來較大的業績彈性。而頭部廠商更易產生規模效益和更低的渠道成本，未來受益國產替代進程市場份額提升將更為顯著。
（3）國內產能佈局完善，中高端產品不斷取得突破。產能方面，目前主要功率半導體廠商在境內共有29條功率半導體產線，6條在建及擬建產線，建設充分的產能能夠充分支撐下游需求的快速增長，為國產替代建立良好的基礎。中高端MOSFET領域，國內廠商研發及量產進度不斷加快，如聞泰科技推出了針對5G電信基礎設施的高耐用的功率MOSFET產品、超微型MOSFET和LFPAK56封裝的P溝道MOSFET。
2、第三代半導體產業鏈
十四五有望出台第三代半導體政策，由於我國第三代半導體應用市場廣闊，與國際巨頭差距較小，且第三代半導體工藝產線對設備要求相對較低，國內公司存在彎道超車機會。在資本的推動下，發展路徑清晰的第三代半導體龍頭公司收益概率較大。
相關標的：
（1）第三代半導體器件領域，聞泰科技已實現GaN器件量產，華潤微、揚傑科技已實現SiC功率器件的產品送樣。華潤微作為國內功率IDM龍頭，功率器件第一，晶圓製造第三，具備從芯片設計、製造及封測的全產業鏈能力，產品主要包括MOSFET、IGBT、SBD、FRD等，主要應用於消費電子、工業控制、新能源、汽車電子等領域。公司在MOSFET產品方面優勢顯著，也是目前國內擁有全部MOSFET主流器件結構研發和製造能力的主要企業，且進行第三代半導體SIC前瞻佈局。將充分受益功率半導體國產替代、產品擴展和升級、以及第三代半導體紅利。
（2）IGBT領域，中車時代已在軌道交通、智能電網、新能源汽車等多個高端領域得到認可和應用，斯達半導和比亞迪已在國內新能源車IGBT領域佔據可觀份額。
（3）設備領域：龍頭公司如北方華創、華峯測控、中微公司。
（4）大灣區未上市企業在第三代半導體產業鏈亦有佈局：東莞天城（SiC外延）；中鎵半導體（GaN襯底）；南砂晶圓（SiC襯底及外延）。
五、風險提示
衞生事件導致需求不及預期風險；貿易戰持續惡化風險；政策推進不及預期風險。