7 月 11 日消息，美國對華為等中國科技企業的打壓，讓我們明白一是落後就要捱打，雖然科學無國界，但是科技是由國界的。縱然我國現在已經變得足夠強大，但是和美國科技之間還有一定的差距，部分行業還要受到美國的牽制。
最好的例子就是華為，雖然近些年華為在通訊領域潛心研究，通信設備遍佈全球一百多個國家，尤其是現在最新的 5G 技術，華為已經走在了世界前列。但是在半導體代工方面還是要受到美國的制裁，而這主要是因為光刻機缺乏。
現在大部分半導體廠商都是使用的荷蘭 ASML 光刻機，而荷蘭之所以一直沒有賣給我們光刻機，就是不想要我們國家突破在芯片的研究，其背後主要是由美國的參與，一直以來美國都喜歡對我們國家進行科技封鎖，就怕我國在科技領域超過他們。
不過就在大家擔憂華為芯片供應問題和中國芯片發展的時候，中科院傳來好消息。中國權威機構中科院蘇州研究所已經研發成功了新型 5nm 高精度的激光光刻技術， 標誌着我國的 5nm 光刻技術取得了重大進展。
目前國內半導體產業還無法擺脱對 ASML 光刻機的依賴，如果在這項技術上面取得突破，將有望打破 ASML 的封鎖，減少對 ASML 的依賴，實現我國半導體方面的自主研發。
據悉，負責研發這項納米激光光刻技術的張子暘團隊已經開發了一種新型的三層堆疊薄膜結構，再通過雙激光束交疊，對能量密度及其波長進行精確控制，在線寬上面能夠將寬度精確到五納米。而目前 ASML 的光刻技術是基於 EUV 極紫外光刻，這是和 ASML 完全不同的一種新的技術路線。
不過值得注意的是，這項技術目前僅僅是在實驗階段得到了一個突破而已，從實驗到真正的應用，並且實現量產並不是一個簡單的過程。但是實驗已經成功了，經過不斷地探索實現量產也不是沒有可能。另外，我國也可以利用此項技術作為讓美方開放光刻機的籌碼，如此就可以大大減輕華為所面臨的壓力。