中微半導體設備生產研發基地開工，年產200腔體MOCVD設備

8月5日上午，南昌高新區舉行2020年重大重點項目集中開工儀式，以中微半導體設備生產研發基地為代表的27個項目集中開工。

南昌中微半導體設備有限公司於2017年12月成立，是中微半導體設備（上海）股份有限公司全資子公司。該項目於2018年3月實現南昌製造，5月實現全面投產，9月實現規模生產，2019年實現產值9.2億元。

南昌中微半導體設備生產研發基地項目總投資約10億元，總建築面積約14萬平方米，該項目達產後將實現年產200腔體MOCVD設備的生產能力。

據瞭解，中微半導體設備公司將在南昌大規模製造具有自主知識產權MOCVD設備，打造成為全球最重要、規模最大的高端MOCVD裝備製造基地，推進在南昌開展MOCVD相關的基礎科學研究和第三代半導體應用產品開發，逐步將南昌中微打造成世界級MOCVD研發、製造及創新中心；積極促進中微公司生產基地及上下游供應鏈企業落户南昌，形成半導體高端設備製造的產業集羣。

據南昌高新區報道，受新冠肺炎疫情影響，今年以來，市場對深紫外LED等具有殺毒功效產品的需求猛增，深紫外LED應用空間廣闊。南昌中微半導體設備有限公司抓住機遇，積極投入研發力量，研製出了具有自主知識產權的高温MOCVD設備Prismo HiT3，該設備是生產深紫外LED的關鍵設備。今年6月，首批HiT3機台已從南昌發給客户。

中微半導體的落户，為南昌高新區打造了從MO源、襯底材料、外延、芯片、封裝、終端應用及MOCVD核心關鍵生產設備等自主知識產權的LED完整產業鏈，成為全國唯一擁有LED全產業鏈原創技術自主知識產權的開發區。（來源：全球半導體觀察）

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【來源：LEDinside】

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