ROHM開發出業界先進的第4代低導通電阻SiC MOSFET發佈於: 科技2020-06-23標籤: 開發出電阻降低短路耐受時間 全球知名半導體制造商ROHM（總部位於日本京都市）開發出“1200V 第4代SiC MOSFET※1”，非常適用於包括主機逆變器在內的車載動力總成系統和工業設備的電源。 對於功率半導體來説，當
