6月15日，本土功率器件龍頭企業華潤微A股報收75.90元/股，漲幅1.01%，總市值達1002億元，成功突破千億市值大關。
華潤微在無錫擁有1條8英寸和3條6英寸晶圓產線，在重慶擁有1條8英寸晶圓產線(53%持股比例)和12英寸生產線(19%持股比例)。公告顯示，2020年，6英寸產能約248萬片/年，8英寸產能約144萬片。重慶12寸產線達產後，將形成36萬片/年產能。
值得注意的是，華潤微在第三代半導體產業早有佈局。
據華潤微2020年年報顯示，報告期內，華潤微積極佈局和拓展碳化硅業務及供應鏈，通過華潤微電子控股有限公司與國內領先的碳化硅外延晶片企業-瀚天天成電子科技（廈門）有限公司達成《增資擴股協議》，增資後持有瀚天天成 3.2418%的股權，通過資本合作和業務合作積極帶動 SiC 業務的發展和佈局。
2020年9月，華潤微在互動平台回覆投資者關於公司第三代半導體佈局的提問。
華潤微表示，公司目前在積極佈局第三代半導體，於2020年7月在慕尼黑上海電子展上召開了SiC新品發佈會，正式向市場投入1200V和650V工業級SiC肖特基二極管功率器件產品系列。
與此同時宣佈國內首條6英寸商用SiC晶圓生產線正式量產。在GaN方面，華潤微正從襯底材料，器件設計、製造工藝，封裝工藝全方位開展硅基氮化鎵的研發工作。
據悉，去年華潤微發佈的1200V 產品電流等級從2A到40A，主要聚焦於太陽能、UPS(不間斷電源)、充電樁、儲能、車載電源等應用領域。650V產品電流等級為4A到16A，主要瞄準服務器電源、通訊電源等高效開關電源應用市場。
和傳統半導體材料相比，更寬的禁帶寬度允許材料在更高的温度、更強的電壓與更快的開關頻率下運行。
SiC 具有高臨界磁場、高電子飽和速度與極高熱導率等特點，使得其器件適用於高頻高温的應用 場景，相較於硅器件，可以顯著降低開關損耗。因此，SiC 可以製造高耐壓、大功率電力電子器 件如 MOSFET、IGBT、SBD 等，用於智能電網、新能源汽車等行業。與硅元器件相比，
GaN 具有高臨界磁場、高電子飽和速度與極高的電子遷移率的特點，是超高頻器件的極佳選擇，適用於 5G 通信、微波射頻等領域的應用。未來，隨着第三代半導體材料的成本因生產技術的不斷提升而 下降，其應用市場也將迎來爆發式增長，給半導體行業帶來新的發展機遇。
華潤微表示，在需求不斷擴大、廠商良性競爭的態勢下，碳化硅功率器件的成本會持續下降，具有廣闊的應用前景。華潤微看好碳化硅器件在新能源汽車、充電樁、5G、服務器和電源等市場的應用。
文稿來源：化合物半導體市場，Amber
圖片來源：拍信網，華潤微
碳化硅為何如此優秀
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