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編 輯 / 小市妹
市場中常講“選對賽道就等於成功了一半”、“風口上的豬都能飛起來”，可見行業大勢的重要性，價值性。尋找價值投資標的時，自然不可忽視風口趨勢。
近來看到，Mini LED爆發進入倒計時，Micro LED佈局火熱，第三代半導體產業發展漸入佳境……似乎半導體行業的種種利好均有指向同一家公司。今次，不如就一起來聊聊這位前瞻把握趨勢，頻頻站上風口的賽手——三安光電。
截至目前，三安光電既是LED光電龍頭，也是集成電路新貴，
公司主要從事全色系超高亮度LED外延片、芯片、Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料、微波通訊集成電路與功率器件、光通訊元器件等產品的研發、生產與銷售。
主業“見底”，強者恆強
從近兩年的營收構成情況來看，LED行業仍是三安光電的主業。在這個領域內，三安光電發展境遇已看似“見底”，大有強者恆強之勢，具體可分兩個角度來看：
其一，傳統LED復甦或至。
LED行業經歷兩年的下行週期，充分“洗牌”。在供給側產能出清過程中，部分中小企業加速被淘汰，頭部企業憑藉技術、規模優勢，以更強的定價話語權，更低的生產成本穿越底部週期，促使市場集中度進一步提高。而實際上，LED行業的市場空間始終上行，以位於產業鏈中游、價值最高的LED芯片為例，該細分領域始終保持着6.8%左右的複合增速。這説明，LED早兩年市場景氣度下滑的根本原因在於產能過剩，而非需求疲軟，隨着行業築底復甦，高市佔率、低生產成本的頭部企業有望最先受益，充分享受市場增量。
頭部企業之中，又以三安光電為代表。
經過多年拓展，三安光電已成為全球最大的LED芯片生產商。同時，據拓璞產業研究院數據，其2017年-2018年的市佔率分別為26%、28%；據三安光電官網，其LED的市場份額目前已達29%，市佔率總體呈持續上升趨勢。此外，三安光電自2008年起向產業鏈上下游延伸業務，目前已打通上至藍寶石襯底，下至產品應用的LED全產業鏈環節，能夠從上游襯底起層層削減生產成本。具體成效則直接反應在毛利率上，對比業內其他頭部企業，三安光電的毛利率呈常年領先水平。
▲LED板塊標的毛利率表現資料來源：wind 國盛證券研究所
當前，傳統LED產品單價較前兩年已趨於穩定，銷售量呈上升趨勢，正是底部回暖的信號。
其二，高端LED放量在即。
另一方面，LED領域以Mini LED、Micro LED為代表的高端產品，隨着國內外大型終端應用企業的介入，市場滲透率逐步提升，LED產業“藍海”再次浮現。目前，Mini LED技術即將大規模市場化，據Yole預測，2023年將有8億件設備使用Mini LED，相較於2019年的324萬件，複合增長率將達到90%；據LED inside預測，2023年整體Mini LED產值將超過10億美元。
▲2017-2023年整體mini LED產值資料來源：LED inside，國元證券研究中心
終端應用大廠動向來看，蘋果有望在未來幾個月推出Mini LED背光技術的iPad和MacBook，三星電子計劃明年推出多款不同尺寸、總量可能達300萬台的Mini LED背光電視，海信、華碩等巨頭紛紛預期推出Mini LED相關終端產品，上游芯片放量趨勢已不可逆。
三安光電方面，已於2018年率先實現Mini LED量產，
目前作為三星電子的首要供應商達成了Mini LED批量供貨合作，並預計於2021年獲得蘋果20%-30%的Mini LED市場訂單，於2022年將訂單比例升至45%-55%……另外，Micro LED而言，雖然較Mini LED技術應用有所遞延，但後續市場容量的增速預期非常快，三安光電同時佔據該領域的領先地位。據悉，
三安光電已開發出直徑20微米的Micro LED，並已與TCL華星成立聯合實驗室，以加速推進Micro LED市場化。
整體看到，三安光電在LED領域的市場競爭力十分強勢，龍頭地位根深蒂固，深入滲透產業鏈各條線、各層次的產品，且走的是以技術支撐發展的路徑，競爭壁壘較高，近來發展境遇已經“見底”，極大可能趨向強者恆強。
落到實際來講，傳統LED芯片回暖，疊加大型終端廠商高價值訂單等多因素共驅增長，三安光電有望較快打開增量空間，報表壓力有望下降。
巨大價值，靜待開啓
與此同時，
三安光電化合物半導體佈局逐漸進入收穫期，有望率先瓜分極具想象力的市場。
具體來看，第二、三代半導體代表材料分別為砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC），三安光電早已前瞻性佈局。其中，GaAs廣泛應用於商用無線通信、射頻、光電子光通信等領域。據中國產業信息網數據，中國為最大的砷化鎵元件的下游應用市場，市場規模自2018年至2024年間有望實現年均15%左右的增長。
▲中國砷化鎵元件市場規模（億元）資料來源：中國產業信息網 國盛證券研究所由於GaAs代工壁壘高築，海外大廠優先佈局，新晉競爭者較少。而來自三安集成的第一套5G性能國產工藝射頻前端解決方案今年面世，三安集成基於砷化鎵HBT及p-HEMT技術平台，實現了全5G頻段覆蓋的收發性能。
今年上半年，三安集成的砷化鎵射頻出貨客户數目迅速增長，累計近100家。
GaN而言，主要面向射頻及電力電子兩大領域。據拓璞產業研究院數據，GaN射頻器件的市場規模至2023年將超過25億美元；據IHS數據，GaN功率器件的市場規模至2027年的市場規模將超過10億美元。同時，隨着通信、汽車、無人機等眾多行業需求驅動，不排除GaN會有更大的滲透空間。
國內的新興代工廠中，三安集成當屬兩大具有量產GaN能力的企業之一，累計客户超過60家。據今年2月三安光電披露，三安集成目前的氮化鎵產能已達2000片 / 月，產能正逐步爬坡。
SiC而言，主要應用於新能源汽車、充電樁、光伏逆變器等電源市場。據賽迪智庫數據，SiC市場規模同比增長預期越來越快，將由2019年的4.2億美元急速升至2023年的13.1億美元。
▲SiC市場規模資料來源：賽迪智庫 國元證券研究中心受制於高難度技術，該領域主要由外企主導。國內方面，已知SiC產線不少於5條，其中，
三安集成方面已有實質預期，其計劃於今年第四季度推出SiC平面型MOSFET第一代產品，並預計在2021年實現6英寸規級SiC產品量產。
綜上可觀，無論是來自第二代的GaAs，還是第三代的GaN、SiC，都對應着兼具成長性與確定性的廣闊市場，隨着三安集成加速釋放產能，依託領先技術不斷落地各類訂單，這部分化合物半導體業務大概率會在良性循環中快速成長，成為三安光電增長的新引擎。另外來説，除市場供需導向外，半導體行業的發展還有很多外生驅動因素，國產半導體“卡脖子”現狀待解就是最重要的催化劑之一。一方面，由於半導體領域長期由海外巨頭掌控市場格局，目前複雜的外部環境下，不少美系半導體大廠均在收縮對中國的出口，以華為為代表的國內終端應用大廠深受影響；但一方面，半導體國產化步伐勢必要加快，部分國際訂單轉移加上未來市場預期加速落地，最先利好的就是頭部半導體材料企業。
尤其三安集成卡位的是關鍵賽道，目前掌握的技術國內領先，因此很大程度上可以斷定，三安光電的發展勢必受到半導體國產化趨勢的助益。
三安光電所處產業技術壁壘高，後續動能非常強勁。雖然三安光電近期表現平平，但從中長期的角度來看，或的確不失為一個高成長型標的，靜待其基本面全面、大幅改善。
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