4月16日，在台積電的財報會上，台積電首次對外公開了其3nm工藝詳情，並預計會在2022年的下半年左右量產。台積電表示，3nm工藝研發符合預期，並沒有受到疫情影響，預計在2021年進入風險試產階段，在2022年下半年正式量產。
原本台積電計劃於4月29日在美國舉行相關技術探討，但由於疫情的影響，這個探討會起碼會延遲到8月份左右，因此台積電提前公佈了3nm的工藝詳情。
據悉，台積電認為現行的FinFET工藝在製造3nm時的成本及能效上更佳，所以3nm首發依然會是FinFET晶體管技術。相比於7nm的FinFET工藝，3nm工藝起碼可以減少50%的功耗並增加30%的性能。
不同於台積電的競爭對手三星的3nm工藝，三星首發的是第一代GAA晶體管工藝3GAE，功耗降低50%的同時還能提升35%的性能。雖然從參數上來看，三星的3nm工藝要更出色一些，不過考慮到三星的翻車率，還是台積電比較穩一些。