長城網9月28日訊（記者 李代姣）“今年前8個月，同光晶體實現供貨量1.1萬片，銷售收入超過1億元，是2019年全年的9倍。”在9月28日舉行的河北省數字經濟發展大會上，河北同光晶體有限公司董事長鄭清超説。
今年，我國持續密集部署新基建，在5G基站、新能源汽車充電樁、大數據中心、人工智能等新基建建設領域中，以碳化硅單晶作襯底生產的芯片被廣泛應用。碳化硅單晶作為第三代半導體材料的核心代表，處在碳化硅產業鏈的最前端，是高端芯片產業發展的基礎和關鍵。
技術人員正在清洗加工晶片。
“當前，我國擁有全球最大的半導體市場，並且需求在持續攀升。可是，半導體芯片仍依賴進口。”在接受記者採訪時，鄭清超反覆強調，芯片這種“卡脖子”的核心產業決不能受制於人，必須要有主動權。
掌握主動權，就一定要在核心技術領域實現自主研發，而關鍵，就在人才。
早在2014年，同光晶體即設立院士工作站，為企業提供技術指導和戰略諮詢，同時大膽採取績效獎勵、股權激勵等創新舉措，不斷激發技術骨幹創新活力。
質量檢測中心，技術人員嚴格檢查產品各項參數。
另一方面，充分利用京津冀創新資源，同光晶體與中國科學院半導體研究所共建SiC單晶材料與應用研究聯合實驗室、聯合搭建第三代半導體材料聯合研發中心，聯合中科院半導體所、清華大學、北京大學、河北工業大學、河北大學，主導搭建第三代半導體材料檢測平台……一系列高端科研創新平台的搭建為同光晶體持續創新奠定了重要基礎。
有了堅實的人才和技術支撐，接下來就是把技術轉化為產品。
技術人員在監測晶體生長情況。
物理氣相傳輸法生長碳化硅單晶是目前生長大尺寸、高質量碳化硅單晶的最好方法之一。但由於該方法需要控制的工藝參數較多，對晶體中的缺陷控制比較困難，擁有成套的高質量單晶生長工藝設備就顯得尤為關鍵。
“核心設備必須擁有自主知識產權！”清醒意識到這一點，同光晶體投入巨大的研發和技改成本，近兩年間系統改造6次，總費用1000餘萬元。
經過上萬次試驗，高純碳化硅原料合成、晶型和結晶質量控制、籽晶特殊處理等一個個關鍵技術難題被攻克，同光晶體研發團隊不斷突破技術瓶頸，已經形成了具備自主知識產權的完整技術體系，被授予專利70餘項，主持行業標準1項。目前，同光晶體研發產品已涵蓋直徑4-6英寸導電型和高純半絕緣型碳化硅單晶。經檢測，各項技術指標均達到世界先進水平，晶片質量可媲美歐美同類產品，填補了國內高端晶片的市場空白。
4英寸N型晶片。
堅持創新，也為同光晶體帶來了豐碩回報。目前，企業與中國電子科技集團下屬研究所建立了穩定的合作關係，今年6月份實現月供貨量2000片。企業生產的高品質碳化硅單晶襯底成功應用在5G基建建設中，助力實現我國芯片關鍵材料的完全自主可控。
“3月22日，同光晶體與淶源縣政府簽訂年產10萬片直徑4-6英寸碳化硅單晶襯底項目，投資建設500台單晶生長爐，今年年底將完成基礎設施建設，明年6月將投產運行。”鄭清超表示，同光晶體將在2021年籌劃推進下一個2000-3000台單晶生長爐廠區建設，預計2022年一期項目投產運行，2025年完成全部設備投資，力爭成為全球最重要的碳化硅單晶襯底供應商。
【來源：長城網】
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