【TechWeb】6月2日消息，據國外媒體報道，三星電子日前表示，計劃投資8萬億韓元（約合人民幣466億元）在韓國平澤工業園區建NAND閃存生產線。
三星電子
生產線建設上月已經開始，預計2021年下半年開始生產三星最先進的V-NAND產品。
三星電子表示，此次投資旨在應對隨着人工智能、物聯網等第四次工業革命，以及5G普及而來的NAND需求。
上月，三星電子還透露，已在平澤投資建設生產線，新產線專注於基於極紫外光刻（EUV）技術的5nm、及以下製程。新產線已開始建設，預計明年下半年開始量產5nm芯片。
三星電子表示，加上平澤生產線，韓國將擁有7條芯片製造產線。
三星電子去年4月曾提出“半導體願景2030”，計劃到2030年對系統芯片研發和生產技術領域投資133萬億韓元（約合人民幣7658億元）。