近期，受到美國芯片出口調整的影響，芯片成為人們普遍關注的話題。而隨着競爭加劇，半導體材料大國、控制着芯片上游供應鏈的日本，正在加速研發新一代的半導體材料。
週三（9月30日）最新報道顯示，日本經濟產業省（METI）正準備對開發新一代低能耗半導體材料“三氧化鎵”的私企和大學提供財政支持。據悉，METI明年將對這一項目提供約2030萬美元的資金支持，未來5年的投資額預計將達到8560萬美元（約合5.83億元人民幣）。
在全球各國目前仍普遍停留在第三代半導體材料的研發生產層面之際，日本卻開始向有着第四代半導體材料之稱的氧化鎵發起挑戰，這對於提高該國在芯片上游材料供應領域的競爭力，無疑有着重要的意義。
值得一提的是，美國可能是日本此舉最重要的挑戰對手之一。據悉，當地時間週二（9月29日）晚上，荷蘭巨頭恩智浦半導體公司正式宣佈，該企業已經在美國的亞利桑那州錢德勒市建廠，這家工廠將被用於生產第三代半導體氮化鎵芯片。
據悉，恩智浦準備為其美國工廠配備一個研發中心，以助其加快氮化鎵芯片的專利申請，並且預計到今年年底該工廠將正式開始生產。
另外，今年中國已經開始計劃大量支持第三代半導體產業，並將其寫入“十四五”規劃之中，試圖在2025年之前實現產業獨立自主。
也就是説，美國芯片出口調整正帶來一系列的連鎖反應，全球的芯片研發生產競爭也在不斷加劇。在這一背景下，如果日本不加速研發第四代半導體材料，那麼該國對芯片行業上游的壟斷地位很可能會遭到挑戰。
文 | 陸爍宜 題 |徐曉冰 圖 | 饒建寧 審 | 廖力思