越過技術壁壘了中科院正式宣佈，網友不需EUV，直擊5nm
相信大家都知道今年華為的遭遇，美國一直對中國科技虎視眈眈，我國一次次在科技領域實現了重大突破，已經撼動了美國的科技霸權了。
所以，從去年開始，美國就直接將華為列入了實體清單，今年5月份，美國針對華為的動作也越來越大了，甚至禁止了其他企業向華為提供美國技術。
美國禁止其他企業同華為合作，讓華為5G設備突然失去了支持，很多人侷限將華為芯片侷限在了海思麒麟上了，但是華為在5G設備上其實也研究了許多的世界頂尖芯片。
禁令讓台積電這樣的世界第一芯片代工廠停止了和華為的合作，華為的終端業務受到了嚴重影響，同樣台積電的撤退也會使華為的5G領域受到影響。
但華為在國內卻找不到一家頂尖的芯片代工廠，中國在EUV光刻機方面落後的實在太多了，但這一技術卻被美資參股的ASML牢牢掌控了，我們一直無法越過這層技術壁壘。
沒有ASML的EUV光刻機就造不出5nm芯片，沒有5nm芯片，華為在芯片領域投入的幾千億就打了水漂，中國未來就只能依靠購買美國的芯片繼續我們的科研之路。
我們的科學家仍舊只研發出來了90nm的光刻機，雖然上海微電子表示很快就能夠量產28nm的光刻機，但這還是與ASML的5nm光刻機隔了一重山。
光刻機最重要的就是光刻分辨率，波長越短，光刻精準度才會越高，而在我們中科院的努力下，好消息終於傳來，我們又實現了新的技術突破，中科院正式宣佈：新型激光光刻技術橫空出世，現在我們的科學家可以405nm波長的雙激光束進行光刻，競爭力等同於5nm的EUV光刻機。
寫在最後
雖然這項技術有了突破，但是技術的突破並不等於光刻機能夠量產。僅憑藉一項技術，就能夠徹底實現量產也不可能。
華為芯片設計好了，同樣要經過許多次試驗、流片，更何況是光刻機這種集合了N多項專利的超大體型的機器？
我們有很多人將思維侷限在了一個點，對自己國家的科技完全不夠自信，前沿科技是上層科技，沒有基礎做支持也無法實現突破，美國拿着ASML的幾十年的沉澱耍我們玩，現在我們跟在別人屁股後面永遠只能看別人的臉色。
或許這項技術並不能夠立馬讓我們的光刻機得到量產，但這也意味着我們的科學家探索的路線是對的！
你覺得我們能夠自己搗鼓出新型5nm光刻機嗎？