相信大家都知道今年華為的遭遇,美國一直對中國科技虎視眈眈,我國一次次在科技領域實現了重大突破,已經撼動了美國的科技霸權了。
所以,從去年開始,美國就直接將華為列入了實體清單,今年5月份,美國針對華為的動作也越來越大了,甚至禁止了其他企業向華為提供美國技術。
美國的這一招可謂是“一炮雙響”,華為的底氣在於華為在5G領域有絕對的實力,而美國是沒有實力和華為打這一張牌的,但是美國的半導體領先中國不止十年。美國禁止其他企業同華為合作,讓華為5G設備突然失去了支持,很多人侷限將華為芯片侷限在了海思麒麟上了,但是華為在5G設備上其實也研究了許多的世界頂尖芯片。
越不過的技術壁壘?禁令讓台積電這樣的世界第一芯片代工廠停止了和華為的合作,華為的終端業務受到了嚴重影響,同樣台積電的撤退也會使華為的5G領域受到影響。
但華為在國內卻找不到一家頂尖的芯片代工廠,中國在EUV光刻機方面落後的實在太多了,但這一技術卻被美資參股的ASML牢牢掌控了,我們一直無法越過這層技術壁壘。
中芯國際花高價錢,多次出面向保證荷蘭ASML保證不會將EUV光刻機交給中國軍方,這才拿下了一個訂單,但這輪採購同樣遭到了種種阻攔和延期交付,未來能否真的到手還很難説。沒有ASML的EUV光刻機就造不出5nm芯片,沒有5nm芯片,華為在芯片領域投入的幾千億就打了水漂,中國未來就只能依靠購買美國的芯片繼續我們的科研之路。
好消息終於傳來!我們的科學家仍舊只研發出來了90nm的光刻機,雖然上海微電子表示很快就能夠量產28nm的光刻機,但這還是與ASML的5nm光刻機隔了一重山。
光刻機最重要的就是光刻分辨率,波長越短,光刻精準度才會越高,而在我們中科院的努力下,好消息終於傳來,我們又實現了新的技術突破,中科院正式宣佈:新型激光光刻技術橫空出世,現在我們的科學家可以405nm波長的雙激光束進行光刻,競爭力等同於5nm的EUV光刻機。
許多網友稱:我們有了實現彎道超車的希望,不需EUV,同樣可以直擊5nm,事實證明ASML的EUV光刻技術也已經到了瓶頸,之後很難再有新的突破,5nm光刻機並不是一定要用ASML的。未來我們同樣可以造出來!寫在最後
雖然這項技術有了突破,但是技術的突破並不等於光刻機能夠量產。僅憑藉一項技術,就能夠徹底實現量產也不可能。
華為芯片設計好了,同樣要經過許多次試驗、流片,更何況是光刻機這種集合了N多項專利的超大體型的機器?
不過話又説回來,其實我們的很多個領域都是在一次次的沉澱中才突破的,就像是一項研究,沒有無數次試錯,無數次的總結,也無法產出成果。我們有很多人將思維侷限在了一個點,對自己國家的科技完全不夠自信,前沿科技是上層科技,沒有基礎做支持也無法實現突破,美國拿着ASML的幾十年的沉澱耍我們玩,現在我們跟在別人屁股後面永遠只能看別人的臉色。
或許這項技術並不能夠立馬讓我們的光刻機得到量產,但這也意味着我們的科學家探索的路線是對的!
相信不久後5nm光刻機我們自己也能夠造出來!這一天不會太遠!你覺得我們能夠自己搗鼓出新型5nm光刻機嗎?