微波射頻在片測量是指使用探針直接測量晶圓（Wafer）或裸芯片（Chip）的微波射頻參數。相比於常規的鍵合/封裝後的測量，微波射頻在片測量消除了封裝及鍵合絲引入的寄生參數，可以更準確的反應被測芯片的射頻特性。微波射頻在片測量廣泛應用於器件建模、芯片檢驗等領域。
隨着5G、汽車雷達等技術的發展，在片測試也進入了亞毫米波/太赫茲頻段，對在片測試技術提出了更高的挑戰。
在片測量系統：
微波射頻在片測量系統一般由射頻/微波測量儀器和探針台及附件組成。
微波射頻在片測量系統中，探針台和探針用於芯片測量端口與射頻測量儀器端口（同軸或波導）之間的適配；微波射頻測量儀器完成各項所需的射頻測量。
射頻探針：
射頻探針的本質為適配器，將芯片測量接口轉為同軸或波導端口。常見的射頻探針有GSG型、GS型、GSSG型等。射頻探針的主要參數有最高工作頻率、探針針尖距（Pitch）等。
目前，同軸接口的射頻探針頻率可達110 GHz，波導接口的射頻探針頻率高達1.1 THz，有一些型號的探針可以選配BiasTee。
校準
微波射頻在片測試的校準主要是指S參數校準，可以通過使用校準片完成校準。一般的校準片提供開路（Open）、短路（Short）、匹配（Match）、直通（Through）和直線（Line）標準件，可完成TOSM校準或TRL校準。
可以利用廠家提供的標準件參數，一般廠家提供的校準件參數包括開路電容、短路電感、負載阻抗及寄生電感、直通/延遲線電長度等，根據這些數據，可以在矢量網絡分析儀中編輯校準件，完成校準。
需要注意的是，不同廠家的探針和校準片一般不能混用。
典型的在片測試：
THz矢量網絡測試（R&S;®ZVA/ZNA矢量網絡分析儀及擴頻單元）：
THz多端口矢量網絡測試（R&S;®ZVT/ZNA矢量網絡分析儀及擴頻單元）：
頻譜/矢量信號分析（R&S;®FSW信號與頻譜分析儀及R&S;®SMW矢量信號源）：
在片負載牽引測試（R&S;®ZVA/ZNA矢量網絡分析儀等）
有源/無源器件建模（R&S;®ZVA/ZNA矢量網絡分析儀等）：
參考文獻：
[1]https://www.rohde-schwarz.com/home_48230.html
[2] https://www.mpi.com.tw/ast/
[3] https://www.cascademicrotech.com/products
關於羅德與施瓦茨
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