央廣網重慶6月7日消息 重慶高新區昨披露，位於西部（重慶）科學城西永微電園的聯合微電子中心，面向全球發佈了我國首個自主開發的180納米成套硅光工藝設計工具，並建成國內首個硅光芯片全流程封裝測試實驗室。
這標誌着重慶已具備硅光領域全流程自主工藝製造能力，並開始向全球提供硅光芯片流片服務和光電設計自動化設計服務。
硅光是以光子和電子為信息載體的硅基光電子大規模集成技術，能夠大大提高集成芯片的性能，是大數據、人工智能、未來移動通信等新興產業的基礎性支撐技術，可廣泛應用於大數據中心、5G、物聯網等產業。
硅光芯片是通過標準半導體工藝將硅光材料和器件集成在一起的集成光路，主要由調製器、探測器、無源波導器件等組成，它可以將多種光器件集成在同一硅基襯底上。
聯合微電子中心介紹，5G時代，對數據傳輸的要求越來越高，傳統的電芯片在信號傳輸模式上遇到帶寬、功耗、延時等一系列瓶頸問題。此次開發的180納米成套硅光工藝，可將光的極高帶寬、超快速率和高抗干擾特性，以及微電子技術在大規模集成、低成本等方面的優勢進行結合，形成一個完整的、具有綜合功能的新型大規模光電集成芯片。
比利時皇家科學院院士、根特大學教授羅爾·巴茨表示，此次聯合微電子中心發佈的180納米成套硅光工藝，標誌着該公司具備硅光領域全流程自主工藝製造能力，是硅光領域的一大進步。
聯合微電子中心表示，中心於2018年掛牌成立，計劃用3至5年時間建成光電融合高科技領域的國家級創新平台。（記者 吳新偉）