三星高級技術學院SAIT的研究人員與蔚山國立科學技術學院UNIST和劍橋大學合作，發現了一種名為非晶態氮化硼(a-BN)的新材料，它可能成為新一代半導體的材料，加速下一代半導體的問世，這項研究已經在《自然》雜誌上發表。
最近SAIT一直在研究2D材料——具有單原子層的晶體材料的研究和開發，具體而言該研究所一直致力於石墨烯的研究和開發，並在該領域取得了突破性的研究成果，例如開發了新的石墨烯晶體管以及生產大面積單晶芯片的新方法，除了研究和開發石墨烯之外，SAIT還致力於加速材料的商業化。
新發現的材料名為非晶態氮化硼(a-BN)，由具有非晶分子結構的硼和氮原子組成。儘管非晶態氮化硼衍生自白色石墨烯，其中包括以六邊形結構排列的硼和氮原子，但實際上a-BN的分子結構使其與白色石墨烯擁有獨特的區別。
非晶態氮化硼擁有同類最佳的1.78超低導電係數，擁有強大的電氣與機械性能，可以用作互連隔離材料以最大程度地減少電干擾。還證明了這種材料可以在僅400℃的温度下以晶圓級生長，因此預計非晶態氮化硼將廣泛應用在DRAM和NAND這種存儲半導體上，尤其是用於大型服務器的新一代存儲器當中。
SAIT副總裁兼無機材料實驗室負責人Park Seongjun Park説：最近，人們對2D材料及其衍生的新材料的興趣不斷增加。但是，將這些材料應用於現有的半導體工藝依然存在許多挑戰。我們將繼續開發新材料來領導半導體的範式轉換。