中國股市：收藏！最新氧化鎵概念股一覽！
8月13日消息，老美商務部週五發佈最終規定，對設計GAAFET（全柵場效應晶體管）結構集成電路所必須的EDA軟件；金剛石和氧化鎵為代表的超寬禁帶半導體材料；燃氣渦輪發動機使用的壓力增益燃燒(PGC)等
鎵族科技陳政委：從無人問津到成熱點 第四代材料氧化鎵前景廣闊
新京報貝殼財經訊（記者 孫文軒）2021年4月16日，第二屆HICOOL全球創業者峯會暨創業大賽啓動儀式在北京順義舉行。在啓動儀式上，談到半導體材料的發展，去年參加HICOOL首屆創業大賽獲得三等獎的
超高壓晶體管問世 旨在提高電動車的續航能力和效率
” 美國布法羅大學科研團隊開發了一種新形式的功率MOSFET晶體管，這種晶體管可以用最小的厚度處理難以置信的高電壓，可能會提升電動汽車電力電子元件效率。金屬氧化物半導體場效應晶體管，也就是我們常