揭秘3nm/2nm工藝的新一代晶體管結構
一些晶圓代工廠仍在基於下一代全能柵極晶體管開發新工藝,包括更先進的高遷移率版本,但是將這些技術投入生產將是困難且昂貴的。英特爾、三星、台積電和其他公司正在為從今天的FinFET晶體管向3nm和2nm節
一些晶圓代工廠仍在基於下一代全能柵極晶體管開發新工藝,包括更先進的高遷移率版本,但是將這些技術投入生產將是困難且昂貴的。英特爾、三星、台積電和其他公司正在為從今天的FinFET晶體管向3nm和2nm節
芯東西(公眾號:aichip001)編譯 | 子佩編輯 | Panken芯東西12月30日消息,英特爾在本週的IEEE國際電子設備會議上展示了一項新的研究,或為續命摩爾定律提供下一步可行方向。此項研究