捷報頻傳，EUV設備與材料不斷優化，大規模普及可期發佈於: 科技2020-05-04標籤: 優化紫外光刻技材料EUV光刻膠據韓媒報道，半導體設備商ASML和比利時半導體研究中心IMEC宣佈單次曝光24nm節距線技術取得了突破性進展，該技術可以使半導體制造商在通過第一代極紫外光（EUV）光刻機也能實現3nm工藝單次曝光，極
