揭秘3nm/2nm工藝的新一代晶體管結構
一些晶圓代工廠仍在基於下一代全能柵極晶體管開發新工藝,包括更先進的高遷移率版本,但是將這些技術投入生產將是困難且昂貴的。英特爾、三星、台積電和其他公司正在為從今天的FinFET晶體管向3nm和2nm節
一些晶圓代工廠仍在基於下一代全能柵極晶體管開發新工藝,包括更先進的高遷移率版本,但是將這些技術投入生產將是困難且昂貴的。英特爾、三星、台積電和其他公司正在為從今天的FinFET晶體管向3nm和2nm節
IT之家7月2日消息 當地時間 2020 年 6 月 30 日,格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)宣稱其最先進的 FinFET 技術解決方案 12LP + 已完成技術鑑定,並已準備在下半年正