本土半導體功率器件設計企業新潔能上市 三季報營收淨利雙增

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本土半導體功率器件設計企業新潔能上市 三季報營收淨利雙增

經濟觀察網 記者 黃一帆9月28日,中國半導體功率器件設計公司新潔能(605111.SH)在上交所主板正式掛牌上市,上市當天股價一字漲停,截至收盤股價為28.67元/股,漲幅為44%。

據瞭解,新潔能本次A股發行價為19.91元/股,發行數量為2530萬股,保薦機構(主承銷商)為平安證券股份有限公司。

據瞭解,新潔能的主營業務為 MOSFET、IGBT 等半導體芯片和功率器件的研發設計及銷售。產品主要應用於消費電子、汽車電子、工業電子、新能源汽車/充電樁、智能裝備製造、物聯網、光伏新能源等領域。

三季報營收與淨利雙雙預增

據招股書顯示,新潔能成立於2013年1月,專業從事MOSFET(金屬—氧化物半導體場效應晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)等半導體芯片和功率器件的研發設計及銷售。

新潔能為專業化垂直分工廠商,芯片主要由公司設計方案後交由芯片代工企業進行生產,功率器件主要由公司委託外部封裝測試企業對芯片進行封測代工而成,公司已初步完成先進封裝測試生產線的建設,將少部分芯片自主封裝後對外銷售。

據瞭解,目前公司量產屏蔽柵功率 MOSFET 及超結功率 MOSFET 的企業之一,是國內最早同時擁有溝槽型功率 MOSFET、超結功率 MOSFET、屏蔽柵功率MOSFET 及 IGBT 四大產品平台的本土企業之一。

從營收來看,近年營收淨利較快增長,2017-2019年新潔能分別實現營業收入5.04億元、7.16億元和 7.73億元,淨利潤分別為 5189.11 萬元、1.41億元和 9820.95萬元。

值得一提的是,新潔能預計今年1-9 月營業收入區間為 6.4億元至 6.55億元,同比上漲18.05%至20.82%;預計2020年1-9月歸屬於母公司所有者的淨利潤區間為9200萬元至9700萬元,同比上漲44.82%至52.69%。

新潔能本次發行募集資金扣除發行費用後,將主要用於“超低能耗高可靠性半導體功率器件研發升級及產業化項目”“半導體功率器件封裝測試生產線建設項目”“碳化硅寬禁帶半導體功率器件研發及產業化項目”“研發中心建設項目”及“補充流動資金”。

對於公司的發展戰略,新潔能董事長、總經理朱袁正在上市路演中表示:公司將專注於中高端半導體功率器件和模塊的研發設計及銷售。在保持MOSFET產品技術和市場優勢基礎上,公司將不斷引進各類管理、技術、營銷人才,構建高效、現代化的經營管理體系,進一步拓展MOSFET產品、重點深化IGBT產品,成為國內自主創新、技術領先、品質高端的自主品牌的優質企業。

同時,朱袁正還表示,公司將進一步加大研發投入,持續整合半導體功率器件封裝測試環節垂直產業鏈,掌控先進半導體功率器件封裝產線並佈局SiC/GaN(碳化硅/氮化鎵)寬禁帶半導體功率器件,進一步強化企業核心競爭力,加快發展成為國際一流的半導體功率器件企業。

持續投入研發

為持續鞏固並提升公司在市場中的技術競爭優勢,近幾年公司持續加大研發投入。

數據顯示,2017年—2019年,公司研發費用分別為2162.27萬元、3283.88萬元、3449.53萬元,年均複合增長率為26.31%。

截至 2020 年 1 月 19 日,公司擁有 97 項專利,其中發明專利 35 項,發明專利數量和佔比在國內半導體功率器件行業內位居前列;公司擁有的該等專利與 MOSFET、IGBT、功率模塊以及先進工藝技術密切相關,對公司核心技術形成了專利保護,對同行業競爭者和潛在競爭者均形成了較高的技術壁壘。

此外,公司參與在 IEEE等國際知名期刊中發表論文 13 篇,其中 SCI 收錄論文 7 篇,不斷提升公司自身在先進功率半導體領域的整體技術水平,縮小了與國際一流半導體功率器件企業的技術差距,拉大了與國內同行業競爭者的技術差距。

公司與科研院所在功率器件設計領域開展長期合作,針對重點項目成立了技術攻關小組。公司持續推進高端 MOSFET、IGBT 的研發和產業化,在已推出先進的超結功率 MOSFET、屏蔽柵功率 MOSFET 和超薄晶圓 IGBT 數款產品基礎上,進一步對上述產品升級換代。公司目前亦率先在國內研發基於 12 英寸晶圓片工藝平台的 MOSFET 產品,部分產品已處於小批量風險試產環節。

公司表示,進一步提前佈局半導體功率器件最先進的技術領域,開展對 SiC/GaN 寬禁帶半導體功率器件的研究探索和產業化,緊跟最先進的技術梯隊,提升公司核心產品競爭力和國內外市場地位。

據瞭解,目前新潔能功率器件應用範圍已經逐步拓展至新能源、軌道交通、智能電網等新領域,可以説未來凡是用到電的地方,就會用到功率器件。

據Gartner 統計數據顯示,汽車行業越來越成為下游主要需求方,而功率半導體尤其是MOSFET及IGBT,是汽車電子的核心,根據Strategy Analytics的分析,在傳統內燃機車上,功率半導體價值為71美元,佔據車用半導體總價值的21%;而在純電動車上,功率半導體價值為387美元,佔據車用半導體總價值的55%。

根據全球知名市場研究機構IHS統計數據顯示,2016 年、2017年國內MOSFET市場份額分別為22.07億美元、26.39億美元。新潔能 2016 年、2017 年分別佔國內 MOSFET 市場份額比例分別為(年度平均匯率分別為 6.6423、6.7518)2.88%、2.83%,且公司為除英飛凌(Infineon)、安森美(ON Semiconductor)、瑞薩電子(Renesas Electronics)等 9 家外資品牌外的國內排名前茅的 MOSFET研發設計及銷售本土企業。

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