6月4日，三安光電股份有限公司（以下簡稱“三安光電”）發佈公告稱，6月3日，公司收到中國證券監督管理委員會（以下簡稱“中國證監會”）出具的《關於核准三安光電股份有限公司非公開發行股票的批覆》（證監許可[2020]989號）文件，核准公司非公開發行不超過400,916,380股新股，發生轉增股本等情形導致總股本發生變化的，可相應調整本次發行數量。
非公開發行預案顯示，三安光電擬定增3.99億股，募資70億元用於投資建設泉州三安半導體科技有限公司半導體研發與產業化項目（一期）。
三安光電的定增對象是格力電器（000651.SZ）和先導高芯， 前者擬出資20億元認購1.14億股，後者擬出資50億元認購2.85億股。
三安光電本次定增價為17.56元/股。
值得注意的是，格力電器和先導高芯在三安光電本次再融資上會前夕，重新對擬認購股票的鎖定期進行了延長調整。
而據此前披露的三安光電非公開發行預案，格力電器和先導高芯認購本次定增的股票，鎖定期為18個月。
格力電器和先導高芯延長一倍限售期的承諾，除提高了三安光電再融資過會成功率，對三安光電股價亦有刺激，4月30日和5月6日，三安光電股價放量大漲。
而格力電器和先導高芯參與出資的三安光電再融資募投項目半導體研發與產業化（一期），相當於再造一個三安光電。
非公開發行預案表明，三安光電募投項目總投資為 138.05億元，其中利用募資70億元。
據瞭解，三安光電此次募集資金擬投入“半導體研發與產業化項目（一期）”（規劃總投資約138億元）。主要投向中高端產品，包括高端氮化鎵LED外延芯片、高端砷化鎵LED外延芯片、Mini/Micro LED、大功率三基色激光器、車用LED照明、大功率高亮度LED、紫外/紅外LED、太陽能電池芯片等。
三安光電錶示，隨着本次募投項目的順利實施，在前期產業佈局基礎上，本次募投項目的主要產品將填補國內空白， 公司提高在高端、新興應用領域產品的產能，加快產品結構升級，提升市場份額， 順應 LED 行業產品結構調整的發展趨勢。
根據預案顯示，三安光電半導體研發與產業化項目（一期）建設主要包括三大業務板塊及公共配套建設，三大業務板塊分別為：氮化鎵（GaN）業務板塊、砷化鎵(GaAs)業務板塊、特種封裝業務板塊。
本次募投項目實施後，將建成包括高端氮化鎵 LED 襯底、外延、芯片；高 端砷化鎵 LED 外延、芯片；大功率氮化鎵激光器；特種封裝產品應用四個產品 方向的研發、生產基地。其中，各業務板塊具體的產能規劃如下：
氮化鎵業務板塊：
1、年產GaN芯片 769.20 萬片，其中：第五代顯 示芯片（Mini 背光/Micro LED）161.60 萬片/年、超高效節能芯片 530.80 萬片/ 年、紫外（UV）芯片 30.80 萬片/年、大功率芯片 46.00 萬片/年；
2、PSS 襯底 年產 923.40 萬片；
3、大功率激光器年產 141.80 萬顆。
砷化鎵（GaAs）業務板塊：
1、年產 GaAs LED 芯片 123.20 萬片，其中：第五 代顯示芯片（Mini/Micro LED）17.60 萬片/年、ITO 紅光芯片 34.90 萬片/年、RS 紅光芯片 19.10 萬片/年、高功率紅外產品 14.20 萬片/年、植物生長燈芯片 14.40 三安光電股份有限公司 2019 年度非公開發行 A 股股票預案 24 萬片/年、大功率户外亮化芯片 7.20 萬片/年、車用級芯片 7.00 萬片/年、醫療健 康芯片 8.80 萬片/年；
2、年產太陽電池芯片 40.50 萬片，其中：商用衞星電池 13.50 萬片/年、臨近空間裝置 27.00 萬片/年。
特種封裝業務板塊：
1、UV LED 封裝 81.40kk/年；
2、Mini LED 芯 片級封裝 8,483.00 kk/年；
3、車用級 LED 封裝 57.80kk/年；
4、大功率 LED 封裝 63.20kk/年；
5、IR LED 封裝 39.00kk/年。
從上面的介紹來看，此次三安光電募資的70億主要都是計劃投向以砷化鎵、氮化鎵為代表的高端化合物半導體的研發與應用。
公告稱，該項目建設期為4年，達產期為7年，預計達產年銷售收入82.44億元（不含税），達產年淨利潤19.92億元。
定期報告顯示，三安光電2019年的淨利潤為12.98億元，遠低於本次再融資募投項目的達產年淨利潤。