這週末，一則外媒報道美國政府考慮將中芯國際列入貿易黑名單的消息一石激起千層浪。
9月5日晚間，中芯國際對此發表嚴正聲明。聲明指出：中芯國際作為一家同時在港交所及中國大陸A股上市的國際化運營的集成電路製造企業，公司嚴格遵守相關國家和地區的法律法規，並在此基礎上一直合法依規經營；且與多個美國及國際知名的半導體設備供貨商，建立多年良好的合作關係，美國商務部多年來針對中芯國際進口採購的設備，也已經核發多件重要的出口許可。同時，中芯國際自成立以來作為全球半導體供應鏈上的重要成員，客户遍及美國、歐洲及中國大陸等世界各地，其產品及服務皆用於民用和商用，從沒有任何涉及軍事應用的經營行為，與中國軍方毫無關係；2016年及以前，中芯國際還是經美國商務部正式認可的「最終民用廠商」 (Validated End-User) ，並曾有多位美國商務部官員實地到中芯國際進行訪查。
“因此，任何關於‘中芯國際涉軍’的報道均為不實新聞，我們對此感到震驚和不解。中芯國際願以誠懇、開放、透明的態度，與美國各相關政府部門溝通交流，以化解可能的歧見和誤解。”中芯國際在申明中寫道。
事實上，這已非中芯國際首次強調合法合規原則。在今年一季度財報會上，中芯國際聯合首席執行官趙海軍就曾指出：“中芯國際是國際化公司。在過去20年中，我們與供應商和美國商務部保持着良好溝通，並且我們遵守規則，完全合規，自成立初就承諾不涉及軍工業務，目前也是一樣。”
集成電路生產線75%以上是半導體設備投資
從下游應用層面來看，據證券時報·e公司記者查詢公司招股書瞭解，中芯國際主要為客户提供基於多種技術節點、不同工藝平台的集成電路晶圓代工及配套服務，下游應用領域廣泛，產品及服務覆蓋了包括消費電子、信息通訊、計算機、汽車及工業在內的多個重要經濟領域。其中，並未任何涉及軍事應用的經營行為。
成立於2000年的中芯國際是全球領先的集成電路晶圓代工企業之一，也是中國大陸技術最先進、規模最大、配套服務最完善、跨國經營的專業晶圓代工企業，主要為客户提供0.35微米至14納米多種技術節點、不同工藝平台的集成電路晶圓代工及配套服務。公司於今年7月16日登陸科創板，IPO募資約525億元，投向12英寸芯片SN1項目、先進及成熟工藝研發項目儲備資金等，其中12英寸芯片SN1項目是中國大陸第一條14納米及以下先進工藝生產線，規劃月產能為3.5萬片。
在上市後一個多月，中芯國際披露了首份半年度報告（按中國企業會計準則編制）：報告期內公司實現營業收入131.6億元，創歷史新高，同比增長29.4%；公司實現歸母淨利潤約13.9億元，亦創歷史新高，同比增長3.3倍。同時，公司披露代工業務於2020年的計劃資本開支約為474億元，主要用於機器及設備的產能擴充。
業內普遍認為，當前中芯國際對於國產芯片製造環節具有重要意義。晶圓代工是連接上游設計和下游應用的“中樞”，中芯國際的代工能力提升意味着大陸整體的半導體行業水平提高。晶圓製造企業向上制定IC設計規則，向下拉動設備、材料、封測同步發展和技術迭代。中芯國際先進製程上調了國產半導體發展潛力和增長空間，協同作用下配套的國產設備和材料供應商也有望共同進步。
倘若發生極端情況（被列入美國出口管制“實體名單”等），對中芯國際影響幾何？這在公司招股書中曾予以披露：未來，如果公司的重要原材料或者核心設備發生供應短缺、價格大幅上漲，或者供應商所處的國家和地區與中國發生貿易摩擦、外交衝突、戰爭等進而影響到相應原材料及設備的出口許可，且公司未能及時形成有效的替代方案，將會對公司生產經營及持續發展產生不利影響。
據證券時報·e公司記者瞭解，從行業現狀看，集成電路晶圓代工行業對原材料和設備有較高要求，部分重要原材料及核心設備在全球範圍內的合格供應商數量較少，大多來自中國境外；而美國基本主導半導體設備行業。從投資規模看，先進集成電路大規模生產線的投資可達100億美元，75%以上是半導體設備投資，其中最關鍵、最大宗的設備是光刻機、等離子體刻蝕設備、薄膜沉積設備等。
危和機同生並存
但危和機總是同生並存的，克服了危即是機。德勤在近期一篇研究報告中指出，貿易戰和實體限制名單的制定將促使中國大力發展半導體行業。各類事件接二連三發生，極大加劇中國的危機感，並開始擔憂美國可能禁止向中國出口半導體，甚至阻礙其他國家向中國出口半導體。
“因此，預計中國將加快已進行多年的半導體行業結構調整，加快實施半導體進口替代策略，從而推進非進口半導體需求上升，最終拉動國內投資增長。儘管如此，實現獨立自主之路不會一路坦途，還需大量資本、人才和時間的投入才能迎頭趕上。”德勤認為。
中芯國際高層也曾在2020年二季度業績發佈會上表示，中國半導體行業和亞洲半導體行業越來越強，中國本地設備、配件、材料一直努力發展，但現在規模比較小，公司很高興看到主要的公司都已上市，都在做研發，公司對以後是看好的，但是需要時間，中芯國際現在做的事情就是一起跟行業做創新，來嘗試使用。
目前，國內廠商在光刻機（上海微電子）、刻蝕機（北方華創、中微公司）、薄膜沉積設備（中微公司）、離子注入設備（凱世通）、清洗機（芯源微電子、盛美半導體）、化學機械拋光機（華海清科）等主要半導體設備領域已有佈局。
在半導體材料領域，近日有關第三代半導體將寫入“十四五規劃”的消息亦引起廣泛關注。據權威消息人士透露，我國計劃把大力支持發展第三代半導體產業，寫入正在制定中的“十四五”規劃，計劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開發、融資、應用等等各個方面，大力支持發展第三代半導體產業，以期實現產業獨立自主。
何為第三代半導體？按業內定義，第三代半導體材料是指帶隙寬度明顯大於Si的寬禁帶半導體材料，主要包括 SiC、GaN、金剛石等，因其禁帶寬度大於或等於2.3電子伏特，又被稱為寬禁帶半導體材料。和第一代、第二代半導體材料相比，第三代半導體材料具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優點可以滿足現代電子技術對高温、高功率、高壓、高頻以及高輻射等惡劣條件的新要求。
就在上月，中芯國際創始人張汝京曾公開表示，第三代半導體是後摩爾定律時代，線寬不是很小，設備不特別貴，但它的材料不容易做，設計上要有優勢，投資也不需要很大。
“個人覺得第三代半導體IDM現在是主流，但是Foundry照樣有機會，重點是要有長期合作的設計公司。如果資本市場願意投入資本，這個投資並不需要很多就可以做，重點是人才。”張汝京認為。
申港證券統計，2020年一季度，國內就有多個第三代半導體項目有新的進展：2020年3月，中國電科（山西）碳化硅材料產業基地、積塔6英寸碳化硅生產線兩個項目開始投產。一季度，和通訊（徐州）第三代半導體產業基地、綠能芯創碳化硅芯片項目以及博方嘉芯氮化鎵射頻及功率器件項目三個項目開工；泰科天潤運營總部及碳化硅器件生產基地項目、高啓電子氮化鎵外延片項目等多個項目實現簽約。
三安光電在6月17日亦公告：公司決定在長沙高新技術產業開發區管理委員會園區成立子公司，投資建設包括但不限於碳化硅等化合物第三代半導體等的研發及產業化項目，包括長晶—襯底製作—外延生長—芯片製備—封裝產業鏈，投資總額為160億元。
來源：證券時報