科研人員研發出新型氮化鎵基電子器件 5G技術峯值速率超預期

　　據報道，美國科研人員研發出了一款名為“諧振隧穿二極管”的新型氮化鎵基電子器件，其應用於5G技術峯值速率超越了預期。研究人員表示：“氮化鎵基‘諧振隧穿二極管’比傳統材料‘諧振隧穿二極管’的頻率和輸出功率都高，其速率快慢的關鍵在於採用了氮化鎵材料。”該氮化鎵基“諧振隧穿二極管”打破了傳統器件的電流輸出與開關速率的紀錄，能使應用程序（包括通信、聯網與遙感）獲取毫米波範圍內的電磁波以及太赫茲頻率。

　　A股氮化鎵半導體器件概念股主要有亞光科技、海特高新、台基股份等。