三星耗資400多億擴大芯片產能，2021年將量產V-NAND閃存

　　厲害！三星耗資400多億擴大芯片產能，2021年將量產V-NAND閃存

　　繼美國提出終斷其對華為的芯片供應之後，美國更是企圖對華為實行更為嚴格的芯片制裁計劃，從芯片的研發與生產等多方面入手，終斷其他芯片供應企業與華為的合作之路，為此我們不得不將更多的精力與關注投之於芯片生產之中。

　　而在國際市場，三星企業乘着華為勢弱，正在拼力前進，提升自身的競爭力，有消息稱三星將耗資四百多億擴大芯片的產能，明年實現V-NAND芯片的量產。

　　準確來説雖然同樣是芯片領域，但是三星企業所關注的是存儲芯片的發展，這也是三星品牌多年發展佔據的優勢所在，擁有全球最為先進的存儲芯片的研製技術。

　　其中NAND閃存芯片作為三星企業近年來推出的一款新產品，在技術上更為先進，其存儲的速度，容量以及安全性都有提升，此次三星加大在存儲芯片領域的投入，就旨在擴大該芯片的生產規模。

　　其實早期三星就有擴建工廠，以生產更多的V-NAND芯片的計劃，只是出於疫情的特殊情況，這一計劃不得不暫且擱置，而進入4月之後，三星終於開始採取行動，正式開啓新工廠的建造。

　　按照三星的相關規劃，在2021年的下半年，該企業就將實現生產規模的擴大，實現V-NAND芯片的規模量產，V-NAND芯片也將成為未來存儲芯片市場的主導者，廣泛應用於各大電子設備之中。

　　根據當地新聞報道，為了完成新工廠的修建，三星企業為此投入了將近8萬億韓元的資金，用人民幣來換算，也達到了四百億人民幣左右，即使是對於三星這一國際知名企業來説，這也是一筆不小的投入，可見三星此次擴建勢在必行。

　　這一舉措將再次奠定三星在存儲芯片領域的市場地位，成為三星企業的突出優勢所在，另外，我們也不排除未來一段時間三星還有進一步的擴建工作，這要綜合考慮市場的需求情況來確定。

　　好了今天就為大家介紹到這裏，我們下一期再見！