近日，台積電宣佈披露了其最新信息3nm工藝的細節商品詳情，其晶體管密度達到了破天荒的2.5億/mm⊃2;！
作為參考，採用台積電7nm EUV工藝的麒麟圖片990 5G尺碼113.31mm⊃2;，晶體管密度103億，平均下去是0.9億/mm⊃2;，3nm工藝晶體管密度是7nm的3.6倍。這種密度陌生化比喻一下，就算將奔騰4Cpu變小到針頭大小。
性能提升上，台積電5nm較7nm性能提升15%，能耗比提升30%，而3nm較5nm性能提升7%，能耗比提升15%。
此外台積電還表示，3nm工藝研發符合預期，並找不到受到病疫情影響，預計在2021年進入危害性試產階段，2022年下半年燒錄。
工藝上，台積電評定多種選擇後認為現行標準的FinFET工藝在成本及能效上來擇，所有3nm首發依然會是FinFET晶體管技術。
但台積電老對手金立則押寶3nm連接點側睡，所有項目進度及技術選擇都很激進，將會過時FinFET晶體管直接應用GAA3d環繞基極晶體管。