近日，瑞士洛桑聯邦理工學院研究團隊提出了一種全新的電子設備散熱思路，可以將冷卻效率提高50倍。
該團隊提出，可以將冷卻系統直接做進芯片內部。在實驗中，他們在氮化鎵芯片表面佈置了冷卻劑通道，靠近發熱最大的電路。論文稱，使用這種方法，0.57瓦/平方釐米的泵浦功率就可以散去超過1.7千瓦/平方釐米的熱通量，冷卻性能提高了50倍，芯片的温度也被限制在60攝氏度以內。
通過這一設計，電路每輸出1瓦點，只會讓温度上升1/3攝氏度。以芯片温度60攝氏度算，該冷卻設備共可吸收176瓦的能量，所需水流量也低於每秒1毫升。目前的數據中心等大型設備是用電用水大户，有了這種新設計，未來冷卻所需的能量有望被降到當前值的1%以下。