説起光刻機我們不得不想到荷蘭ASML光刻機，其擁有世界上最先進光刻機，而其中最先進的極紫外光刻機（EUV光刻），全世界也只有ASML一家公司能製造，具備7nm芯片乃至5nm等芯片工藝。而且一台光刻機的單價1.5億美元，而荷蘭ASML每年能夠生產的光刻機數量為24台左右。
而在芯片代工方面，國內的中芯國際14nm芯片工藝還可以緩衝一下今年的國內芯片用量，但是在7nm芯片乃至5nm等芯片工藝方面依然落户，不得不靠EUV光刻。那麼是否有國產光刻機？
答案是有，但是有差距。國內的上海微電子，雖然也能夠生產出來光刻機，但目前只能夠生產出來90nm的光刻機，目前上海微電子將交付首台國產28nm光刻機。
不過現在還有最新消息稱，上海微電子預計在今年12月，將可能下降首台採用ArF光源的可生產11納米的SSA800/10W光刻機。如果採用華卓精科工作台的套刻精度指標優於1.7納米，該光刻機有生產7納米制程的潛力（多次曝光）。網友同時貼出SMEE的雙工件台曝光系統的操作控制界面。同時還透露長春光機所正基於哈工大DPP-EUV光源研製EUV曝光機，預計兩年內可推出。
其它核心器件技術方面，依託浙江大學研發團隊的啓爾機電推出了可用於最高11nm製程浸沒式光刻機的浸液系統。中微半導體也推出用於5nm製程蝕刻機。南大光電研發出193nm光刻膠。華為自研EDA已進行7納米驗證。換言之，國產11納米光刻機即將到來。
專利申請超過2400項，上海微電子光刻機成為國產希望。公司成立於2002年，在國內中端先進封裝光刻機和LED光刻機行業市場中，上海微電子佔據了80%的市場份額，年出貨大概在50-60台之間。目前SMEE直接持有各類專利及專利申請超過2400項，涉及光刻設備、激光應用、檢測類、特殊應用類等各大產品技術領域。
按照國產光刻機的研發進度，尤其是在中芯國際已經量產14nm並將推出7nm製程的關鍵時間節點，相信只要我國的芯片設計產業如華為龍芯等更多支持自主技術晶圓芯片生產製造的話，中芯會最終向更先進的5nm甚至3nm工藝製程進軍，而國產光刻機也將突破重圍。畢竟圍繞着國產光刻機的國望光學、長春光機所、上海光機、科益虹源光電、中微半導體等在國產光刻機各項關鍵子系統在技術上已經攻關完成，推出相應的自主技術代替的商用產品是水到渠成的。對華為來説，只要把今年撐過去，未來的中國半導體設備與國際先進水平的差距將越來越小。