據韓媒報導，近日，韓國科學和信息通信技術部宣佈將在未來五年內提供117億韓元的投資支持用於5nm以下半導體光刻工藝材料和設備的研發，包括私人投資總額將達136億韓元。
近年來，儘管韓國的大型半導體公司已經在量產中開始導入了EUV光刻技術，但是該技術的材料和設備基礎仍然薄弱，預計這項投資將是擴大國內EUV研發生態系統基礎的機會。
該項目的主要目標是本地化EUV光刻過程必不可少的材料技術，具體而言，用於EUV光刻的空白掩膜板和防護膜是開發的主要內容。
空白掩模板是指在曝光工藝中使用的掩模上雕刻電路形狀之前處於平坦狀態的掩模。與透射式氟化氬（ArF）曝光工藝不同，EUV掩模通過“反射”易於被所有材料吸收的EUV光源，需要高水平的技術。目前，日本公司正在引領潮流，但是全球第一大設備製造商應用材料公司（Applied Materials）在開始開發相關技術時被認為是一個充滿希望的市場。
EUV防護膜是一種可以防止污染的保護層。當使用防護膜時，降低了缺陷率並且減少了掩模更換的數量，從而降低了成本。但是，EUV產品的商業化預計將需要時間。
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