30系顯卡工藝更換 將採用三星8nm工藝

  此前已經有人曝光鍋NVIDIA RTX30 系列新顯卡,採用了全新的風扇散熱設計,還將使用A100運算卡同樣的GA100的核心,但是新的爆料人kopite7kimi則透露,GeForce安培架構新顯卡的核心並非是採用台積電7nm的GA100,而會更換為三星8nm LPP打造的新核心。

30系顯卡工藝更換 將採用三星8nm工藝
  三星的8nm工藝是此前10nm的改良版,作為10nm過渡到7nm的改良製程,此前多用於開發手機芯片,高通的驍龍665、驍龍730G等多是採用8nm工藝。根據三星對8nm LPP的介紹,比10nm LPP 減少了10%的功耗,也縮小了10%的核心面積。

  相比7nm的高額開發費用,三星8nm的產能和成本優勢應該是NVIDIA考慮的關鍵,因此新顯卡可能在核心的散熱與性能上給我們帶來一些全新的驚喜。

版權聲明:本文源自 網絡, 於,由 楠木軒 整理發佈,共 344 字。

轉載請註明: 30系顯卡工藝更換 將採用三星8nm工藝 - 楠木軒