受惠於海思和蘋果的大單，台積電近年來發展神速，穩坐世界第一的寶座。在5nm今年已經開始量產的情況下，台積電加速佈局下一代製程工藝，近日有消息傳出，台積電的2nm製程取得重大突破。
根據台媒《經濟日報》的報導，出於成本及良品率的考慮，台積電決定在3nm中延用5nm的鰭式場效晶體管（FinFET）技術，但在2nm製程中將改為更先進的環繞閘極（GAA）技術，正式進入另一個全新的製程技術領域，而且預料在下個月的年度技術論壇中，台積電將會公佈這項成果。 不過，台積電對此並未做任何評論。
報導指出，雖然台積電自2019年公佈，將以數百人的研發團隊正式投入2nm的技術研發以來，至今沒有公佈2納米制程節點會選擇沿用FinFET技術，或者是改用GAA技術。 不過，根據相關供應鏈表示，因為FinFET技術將自3nm以下會面臨技術瓶頸，因此台積電才會在2nm選擇採用GAA的技術。
對台積電地位虎視眈眈的三星已經宣佈自3nm的開始，率先採用GAA的技術，並宣稱到2030年全面超越台積電。
目前技術上，台積電顯然落後三星，不過市場人士指出，就之前台積電也較三星晚採用極紫外光刻設備，但在製程良品率上仍領先三星。
因此台積電很可能是由於穩紮穩打的策略，才決定在2nm採用GAA技術，儘管落後三星一個世代，但其行業領頭羊的地位預計仍能保持。
報導進一步指出，這次台積電能在2nm製程節點上有所突破，歸功於台積電挽留了最資深副總經理羅唯仁，他三年前決定退休，被董事會百般挽留。
由他帶領的團隊為製程技術研發進行了突破，才有了當前的成果。 為此，羅唯仁還為團隊舉行了慶功宴，以感謝團隊的辛勞。
而根據日前台積電的公告，預計2021年動工，將於美國亞利桑那州設置的12寸廠將以5nm製程為主，並將於2024年投產，月產能達到2萬片的產能。 而這時間點對照目前台積電先進製程的發展計劃，屆時台積電總部已經2nm進入投產階段，使得整體美國廠的完工，屆時將對台積電總部的先進製程訂單不會有所影響。
此外，日前也外傳，競爭對手三星也宣佈將放棄4納米的製程，直接投入3納米制程與台積電面對面競爭。 市場人士也表示，就台積電一旦真的如其在2023年到2024年間量產GAA技術的2納米制程，則三星想在3納米制程彎道超車的狀況，將會難上加難。