三星分享3mm GAE MBCFET芯片製造細節發佈於: 科技2021-03-13標籤: 三星三星電子MBCFET芯片三星電子和台積電都計劃開發3nm工藝技術。據外媒報道，三星在IEEE國際固態電路會議上分享了即將推出的3mm GAE MBCFET芯片製造細節。GAAFET晶體管在結構上有兩種形式，是目前FinFET
