GaN新聞

Ins、抖音上的網紅一定都是真人嗎？答案還真不一定。最近國外出現了一批售賣“假人”的網站，面向所有人開放，只要付費就能通過API快速獲取一個假人IP，而且也不貴，2.99美元（不到20元）一個。先來看

會畫畫的AI有多可怕？你是否想象過把螞蟻和豬、螃蟹和鯨魚，或者100種生物的任意兩個組合起來會是什麼神奇的亞子？現在，AI可以把這些天馬行空的想象全部變成現實！而只需要我們點點鼠標隨便塗個鴉，像這樣：

根據 Omdia 的《2020 年 SiC 和 GaN 功率半導體報告》，在混合動力及電動汽車、電源和光伏逆變器需求的拉動下，碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體的新興市場預計在 2021 年

IT之家11月15日消息 根據 Omdia 的《2020 年 SiC 和 GaN 功率半導體報告》，在混合動力及電動汽車、電源和光伏逆變器需求的拉動下，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率半導體的新

1、發展歷程分析：2016年為第三代半導體產業元年第三代半導體指禁帶寬度大於2.2eV的半導體材料，也稱為寬禁帶半導體材料。半導體材料共經歷了三個發展階段：第一階段是以硅(Si)、鍺(Ge)為代表的

1、發展歷程分析:2016年為第三代半導體產業元年第三代半導體指禁帶寬度大於2.2eV的半導體材料，也稱為寬禁帶半導體材料。半導體材料共經歷了三個發展階段:第一階段是以硅(Si)、鍺(Ge)為代表的第

智通財經APP訊，揚科集團(01460)發佈公告，Tan Eng Wah不再擔任獨立非執行董事及審計委員會成員、薪酬委員會主席及提名委員會成員，自股東周年大會結束起生效。Gan Cheng Khuan

氮化鎵（GaN）是直接寬帶隙半導體材料，屬於第三代半導體。與前兩半導體材料相比，第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更大的電子飽和速度以及更高的抗輻射能力，滿足現代電子技

一、第三代半導體 GaN：射頻、電源、光電子廣泛運用第一代半導體材料主要是指硅（Si）、鍺（Ge）元素半導體。第二代半導體材料是指化合物半導體材料，如砷化鎵（GaAs）、銻化銦（InSb）、磷化銦（I

Transphorm宣佈，該公司的第二款900 V GaN場效應晶體管(FET)現已投入生產。TP90H050WS的典型導通電阻為50毫歐，瞬態峯值額定值為1千伏，現已通過電子設備工程聯合委員會(J