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從HBM存儲器到3D NAND芯片，硬件市場上有許多芯片是用英文稱為TSV構建的，TSV是首字母縮寫，意為“通過硅通孔”並翻譯為via硅的事實，它們垂直地穿過的芯片和允許在它們之間垂直互通。在本文中，

HBM顯存發展過程中，美光不是最快的，也不是性能最好的，但這次打了個頭陣，率先宣佈了下一代技術規劃，暫定名HBMNext。經過兩代的演進，HBM目前正在進入HBM2e階段，其中SK海力士已經在7月初宣