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SK海力士發佈176層4D NAND閃存 即將邁入TB時代

由 童豔紅 發佈於 科技

根據外媒 TechPowerUp 的消息,SK 海力士公司發佈了 176 層 512 Gb 三層 TLC 4D NAND 閃存。其數據傳輸速度提高了 33%,達到 1.6 Gbps。

SK海力士發佈176層4D NAND閃存

明年年中,SK 海力士將推出最大讀取速度提高 70%、最大寫入速度提高 35% 的移動解決方案產品,並計劃推出消費者和企業 SSD 產品,進而擴大該產品的應用市場。

SK 海力士還計劃開發基於 176 層 4D NAND的 1Tb 密度的閃存,從而持續增強其在NAND閃存業務的競爭力。

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