鎵族科技陳政委：從無人問津到成熱點 第四代材料氧化鎵前景廣闊

新京報貝殼財經訊（記者 孫文軒）2021年4月16日，第二屆HICOOL全球創業者峯會暨創業大賽啓動儀式在北京順義舉行。在啓動儀式上，談到半導體材料的發展，去年參加HICOOL首屆創業大賽獲得三等獎的項目負責人、現北京鎵族科技有限公司CEO陳政委表示，今年是“十四五”規劃開局第一年，國家明確指出，以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導體可以高頻、高功率地使用，作為規劃的重點。而第四代材料是在第三代基礎上可以做到更高頻率，響應更快，體積更小。

他指出，第四代材料氧化鎵有幾個非常重要的特性，首先是功率上極具競爭力，各項性能都優於前幾代材料。第二是成本低廉，在尚未批量爆發的情況下，價值成本已經做到和同類型產品相比降低七分之一。第三個是極短的產業化週期，從實現這個產業的材料零突破到實現六英寸用了短短八年時間，八年裏這個材料的尺寸以及整個器件的模型在飛速發展。

陳政委回顧了氧化鎵在中國的發展變化，“我感覺2017年時氧化鎵是無人問津的狀態，好像並沒有太多人知道它是什麼樣的材料，到2018、2019、2020年，整個三年過程裏，氧化鎵逐漸在科研界成為熱點，同時有產業界介入，逐步提升，以及社會化資本的介入。2017年9月份，科技部高新司重點研發計劃把氧化鎵列入其中，2018年3月，北京市科委率先開展了前沿新材料的研究，把氧化鎵列為重點項目。包括我們國內從單晶薄膜到器件，各種高校、院所深入參與其中，中國的氧化鎵自2017年開始逐步成為熱點。”

他表示，銘鎵半導體是中國氧化鎵材料產業的倡導者之一，公司從氧化鎵的材料入手，氧化鎵的光電器件和功率器件設計並行。在HICOOL比賽中獲獎之後，團隊獲得了國內知名基金英諾天使領投，中關村創業大街以及順義科創和首都科技發展集團聯合投資成立北京銘鎵半導體有限公司。

談及一年來的成果，他表示，單機和外延材料正在進行產業化建設，產品獲得市場驗證，逐步佔領市場。另外基於氧化鎵的光電探測產品得到電網的驗證，並且進行試點鋪設，逐步形成放量的過程。“我們申請了大概35項專利及軟件製作權，更加廣闊，更加穩定地保障我們的硬核自主工藝。”

在市場需求和時機方面，他解釋稱，在半導體材料領域，一直都需要尺寸更輕薄，性能更優良，成本更低廉，並且實現高功率的技術壁壘產品，所以應用領域比較廣闊。而在產業升級機會方面，中國的產業正由加工製造逐漸向核心技術升級演變，2020年稱為半導體元年，新材料的元年，碳化硅、碳化鎵可能由2017、2018年的年收入幾百萬元直接躍升到幾個億，幾十個億的爆發量，我們的投資基金也由幾十個億躍升到幾百個億，甚至上千億的投資規模。

“總結而言，目的只有一個，推動在半導體行業、芯片行業的基礎材料上的投入和擴展。” 陳政委説。”

來自政府、行業、國內國外的近兩百位嘉賓共同出席第二屆HICOOL全球創業者峯會暨創業大賽啓動儀式。北京海外高層次人才協會執行秘書長武沂介紹道，2021年，大賽不僅增設了2000萬元的獎金，同時還增加了40個獲獎名額，此外還有諸多創新舉措助力全球創業者來京創新創業，強勁的引才吸力已然成型。

據瞭解，2021年大賽於4月16日正式啓動，在未來4個月的時間內，通過初篩、初賽、複賽以及決賽等一系列流程，從全球傑出的創業者和優秀項目決選出2021年優秀獲獎項目，並將在2021年峯會現場舉辦隆重的頒獎盛典予以表彰。

編輯 王進雨 校對 趙琳