全國人大代表、華中科技大學計算機學院院長、教授馮丹
新華網北京3月8日電（付琳）全國人大代表、華中科技大學計算機學院院長、教授馮丹近日接受新華網兩會採訪時表示，武漢國家存儲器基地於2020年推出的128層QLC 3D NAND產品，實現了閃存存儲器芯片國產化，抓住了產業發展機遇，解決我國存儲器卡脖子問題的關鍵，如今正在部署下一代存儲器技術。
存儲芯片作為數據的載體，是信息社會的基石，以閃存為代表的現有存儲芯片將繼續在大容量、高性能、高可靠核心技術上取得突破，以應對互聯網大數據時代數據爆炸式增長需要。馮丹表示，“十三五”期間，我國集成電路產業規模不斷增長，技術創新取得了突破，“十四五”期間將會有更多創新技術湧現。下一代高速低能耗非易失存儲器技術、存算一體化芯片技術將成為新的發展趨勢。
高端芯片的設計和生產是一個系統性工程，其中涉及材料、機械、微納工藝、微電子、計算機等多個學科，缺一不可。馮丹指出，目前存儲芯片還處於補短板和追趕的階段，缺乏先進技術，缺少領軍人才，這是現階段面臨的最大挑戰。行業所需的人才不僅需要科研業務強、有一線工作經驗的高素質工程師，又需要具有前瞻視野的產業科學家，還需要了解芯片行業的投資人。“未來需要進一步加強學科羣建設，建設集合技術、人才、產業等完整的生態圈來共同培育促進。”馮丹説。
創新驅動實質是人才驅動，人是科技創新最關鍵的因素，從科技創新人才後備力量的輸送角度來看，培養未來科技創新人才，還要厚植科技創新沃土。馮丹表示，通過選拔品學兼優的中學生走進大學，在自然科學、基礎學科等領域著名科學家的指導下，參加科學研究、學術研討和科研實踐，使中學生感受名師魅力，體驗科研過程，可進一步激發學生的科研熱情，提高創新能力。中國科協和教育部主辦的“英才計劃”等科技教育項目，就很好地促進了中學教育與大學教育相銜接，是建立高校與中學聯合發現和培養青少年科技創新人才的有效模式，為青少年科技創新人才不斷湧現和成長營造了良好的社會氛圍。